[发明专利]一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉

说明书

本发明涉及单晶生长炉技术领域，且公开了一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，包括上炉体、下炉体、籽晶轴驱动装置和支撑板，所述上炉体固定安装在下炉体的顶部，所述籽晶轴驱动装置固定安装在上炉体的顶部。通过液压缸将液压杆缩短至最短长度，第二固定座脱离地面，万向轮与地面接触，从而可轻松移动支撑板和隔热板，可非常方便地往坩埚中添加硅原料，且工作人员可从下炉体底部的通孔处进入，对该生长炉进行清理，更加方便快捷，通过弹簧和伸缩杆的设置，可将坩埚震动现象大大消减，从而提高坩埚的稳定性，减少硅在坩埚中的晃动，通过多个通气孔，可将氮气从不同的位置同时进入到下炉体的内腔中，可达到快速冷却的效果。

技术领域

本发明涉及单晶生长炉技术领域，具体为一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉。

背景技术

硅单晶生长炉是将多晶硅转变为单晶硅的专用设备，硅单晶的生长是在真空工作室内将多晶原材料放入坩埚中，通过加热器将原材料熔化，然后，通过籽晶引导、向上提拉方法生长出理想的硅单晶。在连续向上提拉的硅单晶生长工艺过程中，为了保证硅单晶的稳定快速生长和挥发物的及时排除，整个生长工艺过程中，将工艺气体(常用高纯氩气)从单晶炉顶部充入，通过真空泵从单晶炉的一侧排出。现有的直拉式硅单晶生长炉，由于自身高度的原因以及籽晶轴的妨碍，在往坩埚中投放硅原料时很不方便；对生长炉清理时很麻烦，浪费了大量的工作时间，降低了工作效率。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，具备可方便投放硅原料，且清理生长炉时更加方便快捷的优点，解决了现有的直拉式硅单晶生长炉，由于自身高度的原因以及籽晶轴的妨碍，在往坩埚中投放硅原料时很不方便；对生长炉清理时很麻烦，浪费了大量的工作时间，降低了工作效率的问题。

本发明提供如下技术方案：一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，包括上炉体、下炉体、籽晶轴驱动装置和支撑板，所述上炉体固定安装在下炉体的顶部，所述籽晶轴驱动装置固定安装在上炉体的顶部，所述上炉体和下炉体相连通，所述下炉体的底部设有贯穿的通孔，所述通孔的内部固定安装有密封圈，所述支撑板位于下炉体的底部，所述支撑板的顶部固定安装有隔热板，所述隔热板穿过下炉体底部的通孔，所述支撑板的顶面可完全封盖下炉体底部的通孔，所述密封圈的内壁与隔热板的外表面压紧连接，所述支撑板的底部固定安装有液压缸和第三支撑腿，所述液压缸的一端固定连接有油缸，所述液压缸的输出端活动连接有液压杆，所述液压杆的底部固定连接有第二支撑腿，所述第三支撑腿的底部固定安装有伸缩杆，所述伸缩杆的底部固定连接有万向轮，所述伸缩杆的外表面活动套接有弹簧，所述支撑板的底部还固定安装有电机，所述电机的输出端固定连接有旋转轴，所述旋转轴的顶部贯穿支撑板和隔热板并延伸至隔热板顶部的上方，所述旋转轴的顶部固定连接有连接板，所述连接板的顶部固定连接有坩埚，所述下炉体底部的左侧和后侧均固定安装有固定限位板，两个所述固定限位板靠近下炉体底部中心的面固定安装有滚轮，所述下炉体的左侧面和右侧面均固定安装有固定板，所述固定板的底部固定安装有第一支撑座，位于所述下炉体右侧的固定板的顶部固定安装有立杆，所述立杆的顶部固定安装有控制器，所述隔热板的顶部固定安装有隔热箱和加热棒，所述隔热箱的底面镂空，所述隔热箱内腔的侧面固定安装有保温层，所述加热棒位于保温层和坩埚之间，所述隔热箱的顶部设有开口，所述隔热箱的内腔和该开口相连通，所述下炉体内腔的左侧面和隔热板的顶部均固定安装有温度传感器，位于所述隔热板顶部的温度传感器在隔热箱的内部，所述下炉体内腔的右侧面固定安装有压力传感器，所述下炉体的顶部固定安装有氮气管和抽气管，所述氮气管和抽气管分别位于上炉体的左右两侧，所述氮气管和抽气管的底部均贯穿下炉体的顶部并延伸至下炉体的内腔，所述氮气管的输入端连接有氮气罐，位于所述下炉体内腔的氮气管上设有若干个通气孔，位于所述下炉体外部的氮气管上设有电磁阀，所述抽气管上设有气泵，所述上炉体的左侧固定安装有输气管，所述输气管的出气端贯穿上炉体的左侧面并延伸至其内腔，所述籽晶轴驱动装置内部贯穿设有籽晶轴，所述籽晶轴的底部延伸至上炉体和下炉体的内腔，所述籽晶轴的底部固定安装有籽晶，所述籽晶位于坩埚的正上方，所述下炉体的正面设有可视窗。