[发明专利]一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉

权利要求书

1.一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，包括上炉体(1)、下炉体(29)、籽晶轴驱动装置(21)和支撑板(33)，所述上炉体(1)固定安装在下炉体(29)的顶部，所述籽晶轴驱动装置(21)固定安装在上炉体(1)的顶部，所述上炉体(1)和下炉体(29)相连通，其特征在于：所述下炉体(29)的底部设有贯穿的通孔，所述通孔的内部固定安装有密封圈(11)，所述支撑板(33)位于下炉体(29)的底部，所述支撑板(33)的顶部固定安装有隔热板(32)，所述隔热板(32)穿过下炉体(29)底部的通孔，所述支撑板(33)的顶面可完全封盖下炉体(29)底部的通孔，所述密封圈(11)的内壁与隔热板(32)的外表面压紧连接，所述支撑板(33)的底部固定安装有液压缸(35)和第三支撑腿(34)，所述液压缸(35)的一端固定连接有油缸，所述液压缸(35)的输出端活动连接有液压杆(36)，所述液压杆(36)的底部固定连接有第二支撑腿(37)，所述第三支撑腿(34)的底部固定安装有伸缩杆(16)，所述伸缩杆(16)的底部固定连接有万向轮(17)，所述伸缩杆(16)的外表面活动套接有弹簧(15)，所述支撑板(33)的底部还固定安装有电机(14)，所述电机(14)的输出端固定连接有旋转轴(10)，所述旋转轴(10)的顶部贯穿支撑板(33)和隔热板(32)并延伸至隔热板(32)顶部的上方，所述旋转轴(10)的顶部固定连接有连接板(9)，所述连接板(9)的顶部固定连接有坩埚(5)，所述下炉体(29)底部的左侧和后侧均固定安装有固定限位板(12)，两个所述固定限位板(12)靠近下炉体(29)底部中心的面固定安装有滚轮(13)，所述下炉体(29)的左侧面和右侧面均固定安装有固定板(31)，所述固定板(31)的底部固定安装有第一支撑座(18)，位于所述下炉体(29)右侧的固定板(31)的顶部固定安装有立杆(30)，所述立杆(30)的顶部固定安装有控制器(28)，所述隔热板(32)的顶部固定安装有隔热箱(8)和加热棒(6)，所述隔热箱(8)的底面镂空，所述隔热箱(8)内腔的侧面固定安装有保温层(7)，所述加热棒(6)位于保温层(7)和坩埚(5)之间，所述隔热箱(8)的顶部设有开口，所述隔热箱(8)的内腔和该开口相连通，所述下炉体(29)内腔的左侧面和隔热板(32)的顶部均固定安装有温度传感器(4)，位于所述隔热板(32)顶部的温度传感器(4)在隔热箱(8)的内部，所述下炉体(29)内腔的右侧面固定安装有压力传感器(26)，所述下炉体(29)的顶部固定安装有氮气管(2)和抽气管(23)，所述氮气管(2)和抽气管(23)分别位于上炉体(1)的左右两侧，所述氮气管(2)和抽气管(23)的底部均贯穿下炉体(29)的顶部并延伸至下炉体(29)的内腔，所述氮气管(2)的输入端连接有氮气罐，位于所述下炉体(29)内腔的氮气管(2)上设有若干个通气孔(25)，位于所述下炉体(29)外部的氮气管(2)上设有电磁阀(3)，所述抽气管(23)上设有气泵(24)，所述上炉体(1)的左侧固定安装有输气管(20)，所述输气管(20)的出气端贯穿上炉体(1)的左侧面并延伸至其内腔，所述籽晶轴驱动装置(21)内部贯穿设有籽晶轴(22)，所述籽晶轴(22)的底部延伸至上炉体(1)和下炉体(29)的内腔，所述籽晶轴(22)的底部固定安装有籽晶(27)，所述籽晶(27)位于坩埚(5)的正上方，所述下炉体(29)的正面设有可视窗(39)。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，其特征在于：所述隔热板(32)的顶部由石棉制成。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，其特征在于：所述隔热板(32)和下炉体(29)底部的通孔均呈圆柱体，所述隔热板(32)的顶面直径小于其底面直径。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，其特征在于：所述第二支撑腿(37)的底部固定连接有第二固定座(38)，所述第一支撑座(18)的底部固定连接有第一固定座(19)。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅处理用全自动直拉单晶生长炉，其特征在于：所述氮气管(2)呈L形，位于所述下炉体(29)内腔的氮气管(2)呈水平横向设置。