[发明专利]整流电路以及电源装置

说明书

在整流电路(1)中，当晶体管(AT1)导通时，电流从第三整流元件(TR1)流向线圈(AC1)。然后，当晶体管(AT1)截止时，线圈(AC1)的电流流向第二整流元件(SR1)。

技术领域

以下的公开涉及整流电路以及电源装置。

背景技术

已知有在用于电源电路的整流元件中，产生瞬态电流的情况。该瞬态电流通过对整流元件施加反向电压而产生。由于该瞬态电流产生损耗，因此正在研究各种对策方法。

在日本专利公开2011-36075号公报以及日本专利公开2013-198298号公报中，公开了一种以降低瞬态电流为一个目的的电路。

例如，在日本专利公开2011-36075号公报中所公开的电路中，为了降低瞬态电流，设置有与整流元件并联的二极管和变压器(transformer)。在日本专利公开2013-198298号公报中，也公开了一种与日本专利公开2011-36075号公报相同的电路。

发明内容

然而，如后述那样，对于用于降低整流电路中的瞬态电流的措施仍存在改进的空间。本发明的一个方式的目的在于有效地降低整流电路中的瞬态电流。

为了解决上述问题，本公开的一个方式所涉及的整流电路为整流电流从第二端子流向第一端子的整流电路，所述整流电路的特征在于，具备：第三端子，其配置在所述第一端子与所述第二端子之间；第一整流元件，其被连接至所述第一端子和所述第二端子；线圈，其被连接至所述第一端子和所述第三端子；第二整流元件，其被连接至所述第三端子和所述第二端子；晶体管，其以源极或发射极连接所述第三端子；电源，其以负极连接所述第二端子；以及第三整流元件，其以阳极连接至所述电源的正极，并以阴极连接至所述晶体管的漏极或集电极。

根据本公开的一个方式的整流电路，可以有效地降低瞬态电流。

附图说明

图1是表示第一实施方式的电源电路的电路构成的图。

图2是表示各电压·电流的波形的图。

图3是将图2的各图表放大表示的图。

图4是用于说明第一至第四工序中的各电流路径的图。

图5是表示比较例的电源电路中的各电压·电流的波形的图。

图6是表示第二实施方式的电源装置的图。

具体实施方式

〔第一实施方式〕

以下，说明第一实施方式的整流电路1和电源电路10。为了便于说明，对与在第一实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，在后续的各实施方式中标注相同的附图标记，且不重复其说明。

(整流电路1的目的)

如上所述，通过对整流元件施加反向电压产生瞬态电流。在具有PN结的整流元件中产生的瞬态电流也称为反向恢复电流。

另一方面，即使在没有PN结的整流元件中也产生瞬态电流。在该整流元件中，由于施加反向电压而引起的寄生电容的充电电流作为瞬态电流流通。作为不具有PN结的半导体元件的例子，例举出SiC-SBD(Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管)或GaN-HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)等。

整流电路1是以降低这些瞬态电流为目的而制作的。

(用语的定义)

在说明整流电路1之前，在本说明书中，各术语定义如下。

“正向电压”：是指用于使正向电流流过整流元件的电压。

作为第一个例子，考虑整流元件为二极管的情况。此时，正向电压是指用于使正向电流流过二极管而施加的电压。