[发明专利]存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明适用于计算机技术领域，提供了一种存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：将存储设备内所有的空白物理存储块的擦写次数清零；当所述存储设备存入数据时，遍历寻找所述存储设备内任一擦写次数最小的一个物理存储块，以得到目标物理存储块；对所述目标物理存储块的擦写次数加一；将数据存入所述目标物理存储块。本发明提供的方法，可实现每次存入的数据均被存储至擦写次数最少的空白物理存储块中，避免了存储块异常磨损，提高了存储设备的使用寿命。

技术领域

本发明属于计算机技术领域，尤其涉及一种存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

闪存芯片(Nand flash memory)由成千上万存储单元按照一定的组织结构构成，闪存芯片包含若干个LUN(Logical Unit Number，逻辑单元号)，而每个LUN又包含若干个Plane(平面)，而每个Plane是由若干个Block(物理存储块)组成，每个Block由若干个Page(计算机编程语言指令)组成，如图1所示。

对闪存芯片的读写是以Page为单元，在编程Page时，首先要对Page所在的Block进行擦除，闪存的擦除是以Block为单位的；每个闪存芯片的Block都有擦写次数的限制，一般而言，SLC(Single Layer Cell，单层单元)闪存的Block的擦写次数可达10万次，MLC(Multi-Level Cell，多层单元)闪存一般是几千到几万次，TLC(Trinary-Level Cell，三层式单元)则几百到几千次，所以当Block的擦写次数到了寿命值，就代表着这个Block即将损坏，而无法保证里面数据的可靠性，直至完全损毁无法使用。

在计算机设备对存储产品LBA(逻辑块地址)数据的写入，需要把要写入的LBA地址映射到存储产品的物理地址，即逻辑地址数据实际上是写到FLASH(存储芯片)的哪个实体物理地址，则需要一个逻辑至实体地址映射表(Logical address to Physical addressTable，L2P Table)来记录；但如果存储产品的演算法没对写入数据的Physical address(物理地址)做很好的管控，会导致存储产品的物理存储块(Block)的损伤不一，导致有些物理存储块很快就被用完了寿命，而有些物理存储块的使用率还很低，这样会导致存储产品好的物理存储块减少而不足以保证存储产品的运行，同时令计算机设备没有足够的物理存储块来存数据而报废。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种存储块异常磨损处理方法，旨在解决现有的物理存储块使用寿命低的问题。

本发明实施例是这样实现的一种存储块异常磨损处理方法，所述方法包括下述步骤：

将存储设备内所有的空白物理存储块的擦写次数清零；

当所述存储设备存入数据时，遍历寻找所述存储设备内任一擦写次数最小的一个物理存储块，以得到目标物理存储块；

对所述目标物理存储块的擦写次数加一；

将数据存入所述目标物理存储块。

更进一步地，所述方法还包括下述步骤：

遍历找寻整个所述存储设备内所有的物理存储块的擦写次数，以获取最大擦写次数和最小擦写次数；

判断所述最大擦写次数和所述最小擦写次数的擦写次数之差是否在预设阈值内；

若否，则把所述最小擦写次数对应的所述物理存储块放入回收队列；

将所述回收队列内的所述物理存储块所存储的数据转移至所述最大擦写次数对应的所述物理存储块内。

更进一步地，所述将所述回收队列内的所述物理存储块所存储的数据转移至所述最大擦写次数对应的所述物理存储块内的步骤之后，所述方法还包括下述步骤：