[发明专利]一种终端结构及功率半导体器件在审
| 申请号： | 202011038464.3 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112038397A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈译;李燕;袁和平 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L23/64 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 郭福利 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 终端 结构 功率 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种终端结构，其特征在于，包括：
衬底；
配置在所述衬底第一表面的外延层；
设置在所述外延层内的场限环，设置在所述场限环两侧的内部金属层；
配置在所述外延层上的电容复合结构层，配置在所述电容复合结构层两侧的外部金属层，覆盖在所述电容复合结构层上的绝缘层，其中，所述外部金属层与内部金属层电连接，所述电容复合结构层的两端分别与外部金属层电连接。
2.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，还包括：底部金属电极层；
其中，所述底部金属电极层配置在所述衬底的第二表面上。
3.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，所述场限环包括P埋层及P-埋层。
4.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，所述内部金属层包括有源极与漏极。
5.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，所述外部金属层设置有栅极。
6.根据权利要求4所述的一种终端结构，其特征在于，所述电容复合结构层包括多个互不相连的多晶硅构成，在靠近左侧的所述多晶硅与所述源极电气连接，在靠近右侧的所述多晶硅与所述漏极电气连接。
7.根据权利要求6所述的一种终端结构，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅，所述二氧化硅隔断多个所述多晶硅。
8.一种功率半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至7任意一项所述的一种终端结构。
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