[发明专利]图像传感器

说明书

公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月5日在韩国知识产权局提交的第 10-2019-0160516号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种图像传感器。

背景技术

图像传感器是用于接收光并且产生电信号的基于半导体的传感器。例如，图像传感器将光转换成传达用于形成图像的信息的电信号。图像传感器可以包括：包括多个像素的像素阵列；用于驱动像素阵列并且产生图像的逻辑电路等。多个像素可以包括：用于通过对外部光反应而产生电荷的光电二极管；用于将从光电二极管产生的电荷转换成电信号的像素电路等。传统上，图像传感器已被用于相机中以捕获静止图像和视频图像，但是现在被广泛地应用于智能手机、平板个人计算机(PC)、膝上型计算机、电视、车辆等。近来，已经开发了用于改善图像传感器的噪声特性、动态范围等的各种方法。

发明内容

示例实施例提供了一种图像传感器，能够在提供自动聚焦功能时限制和/或防止串扰发生。

根据示例实施例，一种图像传感器包括：包括光电二极管的第一光电二极管组和包括光电二极管的第二光电二极管组；包括与第一光电二极管组连接的至少一个转移晶体管的第一转移晶体管组；包括与第二光电二极管组连接的至少一个转移晶体管的第二转移晶体管组；衬底的浮置扩散区，该浮置扩散区被配置为存储当第一转移晶体管组的至少一个转移晶体管被导通时在第一光电二极管组中产生的电荷；以及与第二光电二极管组连接的电源节点，该电源节点被配置为其上施加有电源电压，以将电源电压施加到第二光电二极管组。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点。第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管被配置为其上施加有势垒电压。势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

根据示例实施例，一种图像传感器包括：共享单个微透镜的第一像素区和第二像素区；将第一像素区和第二像素区彼此电隔离的器件隔离层；与第一像素区连接的至少一个转移晶体管；以及与第二像素区连接的至少一个漏极端子。至少一个漏极端子被配置为其上施加有电源电压。

根据示例实施例，一种图像传感器包括被配置为产生图像的普通像素组和被配置为提供自动聚焦功能的自动聚焦像素组。自动聚焦像素组和普通像素组具有彼此基本相同的灵敏度。自动聚焦像素组包括：共享单个微透镜并且各自包括单个光电二极管的单位像素；将单位像素彼此电隔离的器件隔离层；以及被配置为其中输入有恒定电压的漏极端子。自动聚焦像素组中的光电二极管包括第一光电二极管组和第二光电二极管组。漏极端子连接到第二光电二极管组。第一光电二极管组被配置为产生从第一光电二极管组迁移到衬底的浮置扩散区的电荷。第二光电二极管被配置为产生被放电到漏极端子的电荷。

根据示例实施例，一种图像传感器包括：包括普通像素组和自动聚焦像素组的像素阵列；以及被配置为基于从普通像素组产生的信号产生图像并且基于从自动聚焦像素组产生的信号提供自动聚焦功能的控制器。自动聚焦像素组包括：共享单个微透镜并且各自包括自动聚焦光电二极管和漏极光电二极管中的任一个的单位像素；将单位像素彼此电隔离的器件隔离层；以及连接到漏极光电二极管的漏极端子。自动聚焦光电二极管被配置为产生迁移到衬底的浮置扩散区的电荷，并且从漏极光电二极管产生的电荷被放电到漏极端子。像素阵列具有红绿绿蓝(RGGB)模式和红绿蓝白(RGBW)模式中的任一个。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更加清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和效果。