[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括光电二极管的第一光电二极管组和包括光电二极管的第二光电二极管组；

第一转移晶体管组，包括与所述第一光电二极管组连接的至少一个转移晶体管；

衬底的浮置扩散区，被配置为存储当所述第一转移晶体管组的所述至少一个转移晶体管被导通时在所述第一光电二极管组中产生的电荷；以及

电源节点，与所述第二光电二极管组连接，所述电源节点被配置为其上施加有电源电压，以将所述电源电压施加到所述第二光电二极管组，所述电源电压使所述第二光电二极管组中产生的电荷迁移到所述电源节点；以及

第二转移晶体管组，包括与所述第二光电二极管组连接的至少一个转移晶体管，

所述第二转移晶体管组的所述至少一个转移晶体管被配置为其上施加有势垒电压，并且

所述势垒电压在所述第二光电二极管组与所述浮置扩散区之间形成势垒。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

器件隔离层，将所述第一光电二极管组或所述第二光电二极管组中的至少两个的光电二极管彼此电隔离；以及

漏极端子，与所述第二光电二极管组连接，其中，

所述图像传感器被配置为响应于将所述电源电压施加到所述漏极端子而将从所述第二光电二极管组产生的电荷放电到所述漏极端子。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，

所述第一光电二极管组的光电二极管包括第一光电二极管和第二光电二极管，

所述第二光电二极管组的光电二极管包括第三光电二极管和第四光电二极管，并且

所述第一转移晶体管组的所述至少一个转移晶体管包括与所述第一光电二极管连接的第一转移晶体管和与所述第二光电二极管连接的第二转移晶体管，并且

所述第二转移晶体管组的所述至少一个转移晶体管包括与所述第三光电二极管连接的第三转移晶体管和与所述第四光电二极管连接的第四转移晶体管。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，

所述第一转移晶体管包括第一转移栅电极，所述第一转移栅电极被配置为输入有第一导通信号；

所述第二转移晶体管包括第二转移栅电极，所述第二转移栅电极被配置为输入有第二导通信号，

所述第三转移晶体管包括第三转移栅电极，所述第三转移栅电极被配置为输入有所述势垒电压，并且

所述第四转移晶体管包括第四转移栅电极，所述第四转移栅电极被配置为输入有所述势垒电压。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

接地端子，

其中，所述接地端子被配置为向所述图像传感器提供接地电压。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，

所述第二光电二极管组的光电二极管包括第一光电二极管和第二光电二极管，并且

所述第二光电二极管组包括与第一漏极端子连接的所述第一光电二极管和与第二漏极端子连接的所述第二光电二极管，其中，

所述图像传感器被配置为响应于将所述电源电压施加到所述第一漏极端子而将从所述第一光电二极管产生的电荷放电到所述第一漏极端子，

所述图像传感器被配置为响应于将所述电源电压施加到所述第二漏极端子而将从所述第二光电二极管产生的电荷放电到所述第二漏极端子，并且

所述接地端子在所述第一漏极端子与所述第二漏极端子之间。

7.一种图像传感器，包括：

第一像素区和第二像素区，共享单个微透镜；

器件隔离层，将所述第一像素区和所述第二像素区彼此电隔离；

至少一个转移晶体管，与所述第一像素区连接；以及

至少一个漏极端子，与所述第二像素区连接，并被配置为其上施加有电源电压。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，

所述第一像素区包括第一光电二极管和第二光电二极管，

所述第二像素区包括第三光电二极管和第四光电二极管，并且

所述至少一个转移晶体管包括与所述第一光电二极管连接的第一转移晶体管和与所述第二光电二极管连接的第二转移晶体管。