[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，衬底上形成有待刻蚀膜层，对待刻蚀膜层进行刻蚀以得到上部过孔，并在上部过孔的侧壁形成侧墙，其中对待刻蚀膜层进行刻蚀是基于光刻技术的，之后可以以侧墙为掩蔽对上部过孔的底部进行刻蚀，以形成底部过孔，并去除侧墙，以得到包括底部过孔和上部过孔的双大马士革结构，这样底部过孔的刻蚀过程则不需要进行光刻工艺，减少了光刻的次数，节约了半导体器件制造过程中的成本，提高半导体器件的生产率。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

目前，在半导体器件的制造过程中，有形成双大马士革结构的需求，通常可以利用双大马士革结构实现金属互连层的引出，例如可以利用双大马士革工艺形成键合垫(bonding pad)。具体的，可以通过两块掩膜版和两次光刻及刻蚀工艺，来形成尺径较小的底部过孔和尺寸较大的上部过孔，具体操作时，可以先利用第一次光刻工艺，定义底部过孔的图案，再进行底部过孔的刻蚀，而后对底部过孔进行填充，再进行第二次光刻工艺，定义上部过孔的图案，再进行上部过孔的刻蚀，从而得到双孔结构。

然而，以上的双大马士革结构的形成方式具有较高的成本，因此需要进一步的降低制造成本，提高生产率以及生产竞争力。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，有效降低制造成本，提高生产率。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

一种半导体器件的制造方法，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有待刻蚀膜层；

对所述待刻蚀膜层进行刻蚀以得到上部过孔，并在所述上部过孔的侧壁形成侧墙；

以所述侧墙为掩蔽对所述上部过孔的底部进行刻蚀，以形成底部过孔；

去除所述侧墙。

可选的，所述待刻蚀膜层至少包括氧化硅层，所述上部过孔的刻蚀停止在氧化硅层中。

可选的，所述待刻蚀膜层还包括氧化硅层下的氮化硅层。

可选的，所述衬底和所述待刻蚀膜层之间还形成有金属互连层。

可选的，形成所述底部过孔时，以所述金属互连层为刻蚀停止层。

可选的，所述在所述上部过孔的侧壁形成侧墙，包括：

沉积侧墙材料；

利用各向异性刻蚀方式对所述侧墙材料进行处理，去除所述待刻蚀膜层上表面以及所述上部过孔底部的侧墙材料，以形成所述侧墙。

可选的，所述侧墙材料的沉积方式为原子层沉积。

可选的，所述侧墙材料为多晶硅。

可选的，对所述待刻蚀膜层进行刻蚀以得到上部过孔，包括：

在所述待刻蚀膜层上形成曝光图案化膜层并进行光刻工艺，以在所述曝光图案化膜层中刻蚀孔图形；

以所述曝光图案化膜层为掩蔽，进行所述待刻蚀膜层的刻蚀，以形成上部过孔。

可选的，所述曝光图案化膜层包括无定型碳掩膜层以及其上的光刻胶层。

可选的，所述无定形碳掩膜层的材料为旋涂碳。

可选的，所述曝光图案化膜层还包括在所述无定型碳掩膜层以及所述光刻胶层之间的介质抗反射层。

可选的，所述制造方法还包括：

在所述上部过孔和底部过孔中填充导电材料，以形成接触垫。