[发明专利]超高温温场平台及其使用方法

权利要求书

1.一种超高温温场平台，其特征在于，包括真空舱，所述真空舱内设有用于承载发热体的通电样品台；所述发热体为预还原氧化石墨烯薄膜；所述预还原氧化石墨烯薄膜的长度≥宽度，宽度≤10mm；所述预还原氧化石墨烯薄膜的厚度≤200μm。

2.根据权利要求1所述的超高温温场平台，其特征在于，所述预还原氧化石墨烯薄膜的长宽比为1～50∶1，宽度为0.1mm～10mm；所述预还原氧化石墨烯薄膜的厚度为1μm～200μm。

3.根据权利要求2所述的超高温温场平台，其特征在于，所述发热体包括载体材料，所述预还原氧化石墨烯薄膜固定在载体材料上；所述载体材料为耐高温陶瓷材料；所述耐高温陶瓷材料为氧化铝陶瓷材料或碳化硅陶瓷材料；所述预还原氧化石墨烯薄膜的长宽比为1～10∶1，宽度为0.3mm～8mm；所述预还原氧化石墨烯薄膜的厚度为5μm～25μm。

4.根据权利要求3所述的超高温温场平台，其特征在于，所述预还原氧化石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1、将氧化石墨烯纳米片水溶液涂覆在基板上，烘干，得到氧化石墨烯薄膜；

S2、将步骤S1中得到的氧化石墨烯薄膜进行热处理，得到预还原氧化石墨烯薄膜。

5.根据权利要求4所述的超高温温场平台，其特征在于，步骤S1中，所述涂覆为将氧化石墨烯纳米片水溶液置于基板上，利用刮具将氧化石墨烯纳米片水溶液刮涂在基板上；所述刮具的刮涂速率为8mm/s～15mm/s；所述刮具与基板的距离为1mm～4mm；所述刮具为刮刀；所述基板为铜箔片；所述氧化石墨烯纳米片水溶液的浓度为4mg/mL～10mg/mL；所述氧化石墨烯纳米片水溶液中氧化石墨烯纳米片的片径为5μm～50μm；所述烘干为将基板加热至30℃～40℃；所述烘干的时间为8h～36h；

步骤S2中，还包括对预还原氧化石墨烯薄膜的固定处理：利用导电银浆将预还原氧化石墨烯薄膜粘结在载体材料上，在空气气氛下升温至100℃～170℃下固化10min～60min，使预还原氧化石墨烯薄膜固定在载体材料上，得到发热体；所述载体材料为耐高温陶瓷材料；所述耐高温陶瓷材料为氧化铝陶瓷材料或碳化硅陶瓷材料；所述热处理在惰性气氛下进行；所述热处理的温度为700℃～850℃；所述热处理的时间为10min～60min。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的超高温温场平台，其特征在于，所述发热体的数量为至少一个；所述发热体的数量≥2个时，各个发热体以并联的方式固定在通电样品台上，两个发热体之间的间隔距离≤2mm；所述发热体的两端通过导线连接有源表；所述源表的电流范围为1nA～10A，电压范围为1mV～200V。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的超高温温场平台，其特征在于，所述真空舱内连通有机械泵和真空计；所述机械泵的抽气速率＞15L/min；所述真空计的测量范围为100kPa～1Pa，测量精度为1Pa；所述真空舱内还设有用于承载待测样品的样品移动台，所述样品移动台上的待测样品位于发热体的正上方；所述发热体与待测样品之间的距离通过移动样品移动台进行调节，距离范围为1mm～50mm；所述样品移动台为三轴位移台，其中X轴的移动范围为0～20cm，轴的位移精度为0.1mm，Y轴的移动范围0～10cm，Y轴的位移精度为0.1mm，Z轴的移动范围0～40cm，Z轴的位移精度为0.1mm。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的超高温温场平台，其特征在于，还包括用于采集样品辐射光谱的光谱采集装置，位于真空舱内或真空舱上表面；所述光谱采集装置包括CCD相机和光纤光谱仪；所述CCD相机和光纤光谱仪之间通过光纤线连接；所述光纤光谱仪上连接有PLC控制器；所述CCD相机通过光谱位移台固定在发热体的正上方；所述光谱位移台为二轴位移台，其中X轴的移动范围为0～20cm，位移精度为0.1mm；Y轴的移动范围为0～10cm，位移精度为0.1mm；所述CCD相机与发热体之间的距离为17cm～22cm；所述光纤光谱仪的探测光谱波长范围为200～1200nm；所述CCD相机的镜头前方设有550nm滤光片。