[发明专利]电源适配电路、电源适配芯片及电源适配器在审

专利信息
申请号: 202011017755.4 申请日: 2020-09-24
公开(公告)号: CN111856330A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 彭峰;连子健 申请(专利权)人: 深圳英集芯科技有限公司
主分类号: G01R31/52 分类号: G01R31/52;H02H1/00;H02H7/12;H02M1/00;H02M1/32
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电源 配电 芯片 适配器
【权利要求书】:

1.一种电源适配电路,其特征在于,所述电源适配电路包括转换电路、电流检测电阻、输出接口、及检测控制电路,所述转换电路用于接收第一电压并将第一电压转换为第二电压,所述转换电路电连接所述电流检测电阻至所述输出接口以将所述第二电压输出,所述检测控制电路包括第一检测单元、及判断单元,所述第一检测单元用于检测所述电源适配电路的转换电路或者输出接口的至少一个检测参数,以得到检测信号;所述判断单元用于将所述检测信号与所述检测参数的预设阈值范围进行比较,以判断所述检测信号是否落入所述预设阈值范围之外,其中,所述预设阈值范围为所述电流检测电阻未短路时所述检测参数的范围;当所述检测信号落入所述预设阈值范围之外时,所述判断单元判定所述电流检测电阻短路。

2.如权利要求1所述的电源适配电路,其特征在于,所述转换电路包括变压器、整流单元、滤波单元、及分压单元,所述变压器包括初级线圈及次级线圈,所述初级线圈用于接收所述第一电压,其中,所述第一电压为交流电压,所述次级线圈用于对所述第一电压的电压值进行调整以得到第一调整电压,所述整流单元电连接所述次级线圈的一端,所述整流单元用于将所述第一调整电压进行整流以得到第二调整电压,所述滤波单元的一端电连接所述整流单元,用于对所述第二调整电压进行滤波以得到第三调整电压,所述分压单元用于对所述第三调整电压进行分压,所述第一检测单元电连接所述分压单元,用于检测分压后的第三调整电压,以得到所述检测信号。

3.如权利要求2所述的电源适配电路,其特征在于,所述转换电路还包括第一开关单元、及驱动单元,所述第一开关单元包括第一端、第二端、及控制端,所述第一开关单元的第一端电连接所述整流单元与所述次级线圈的连接点,所述第一开关单元的第二端电连接所述滤波单元的另一端,所述控制端电连接所述驱动单元,以接收所述驱动单元产生的控制信号,以控制所述第一端和所述第二端之间的导通或者断开。

4.如权利要求3所述的电源适配电路,其特征在于,所述整流单元包括二极管,所述滤波单元包括第一电容,所述第一开关单元包括晶体管,所述二极管的正极电连接所述次级线圈,所述二极管的负极电连接所述第一电容,所述晶体管的第一端电连接所述二极管的正极与所述次级线圈的连接点,所述晶体管的第二端电连接所述第一电容的另一端,其中,所述第一端为所述晶体管的源极且所述第二端为所述晶体管的漏极,或者,所述第一端为所述晶体管的漏极且所述第二端为所述晶体管的源极。

5.如权利要求2所述的电源适配电路,其特征在于,所述分压单元包括第一电阻、第二电阻、及第二电容,所述第一电阻的一端接地,所述第一电阻的另一端电连接所述第二电阻,所述第二电阻的另一端电连接至所述整流单元与所述滤波单元的连接点,所述第二电容的一端接地,所述第二电容的另一端电连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接点,所述检测电路电连接至所述第二电容连接至所述第一电阻的一端。

6.如权利要求1所述的电源适配电路,其特征在于,所述转换电路包括变压器、整流单元、滤波单元、及驱动单元,所述变压器包括初级线圈及次级线圈,所述初级线圈用于接收所述第一电压,其中,所述第一电压为交流电压,所述次级线圈用于对所述第一电压的电压值进行调整以得到第一调整电压,所述整流单元电连接所述次级线圈的一端,用于将所述第一调整电压进行整流以得到第二调整电压,所述滤波单元的一端电连接所述整流单元的输出端且接地,所述滤波单元的另一端电连接所述次级线圈的另一端,所述驱动单元电连接所述整流单元,用于控制所述整流单元的周期性的导通及断开,所述第一检测单元电连接所述驱动单元,用于检测所述驱动单元控制所述整流单元的导通及断开的控制信号的频率或所述控制信号的占空比,以得到所述检测信号。

7.如权利要求6所述的电源适配电路,其特征在于,所述整流单元包括晶体管,所述滤波单元包括滤波电容,所述晶体管包括第一端、第二端及控制端,所述晶体管的第一端电连接所述次级线圈的一端,所述第二端电连接所述滤波电容的一端,所述滤波电容的另一端电连接所述次级线圈的另一端,其中,所述第一端为所述晶体管的源极且所述第二端为所述晶体管的漏极,或者,所述第一端为所述晶体管的漏极且所述第二端为所述晶体管的源极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳英集芯科技有限公司,未经深圳英集芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011017755.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top