[发明专利]一种冶金级硅中杂质硼去除的方法

权利要求书

1.一种冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：用含硼的冶金级硅和金属铝混合均匀得到混合物料；

S2：将步骤S1得到的混合物料在惰性气体的氛围中放入熔炼炉中进行熔炼；

S3：待步骤S2的混合物料完全熔化后得到熔体，进行保温，在惰性气体氛围中，向熔体中通入惰性气体-氢气混合气体进行除杂反应；

S4：反应完成后，停止通入混合气体，进行定向凝固，使初生硅富集到熔体的一端形成富集相，杂质硼富集到熔体另一端的铝硅合金中；

S5：富集完成后，用倾倒法或机械切割法将初生硅与铝硅合金分离，使硅中的杂质硼去除。

2.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，所述金属铝的纯度大于99%，与冶金级硅的比例为（1~9）：（9~1）。

3.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，所述熔炼炉为电磁感应炉或电阻炉。

4.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S2中熔炼温度为600~1600℃。

5.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S3中保温时间为1~300min。

6.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S3中惰性气体为He、Ne、Ar或N₂中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S3中惰性气体与氢气体积比为0.1~10:1。

8.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S3中混合气体通入时间为1~1000min。

9.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S3中混合气体通入流量为1~1000mL/min。

10.根据权利要求1所述冶金级硅中杂质硼去除的方法，其特征在于，步骤S4中定向凝固为向上或向下定向凝固，定向凝固过程中向上或向下拉伸的速率为1μm/s~1000μm/s。