[发明专利]高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构、器件及制法

权利要求书

1.一种高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，包括电致变色层，其特征在于，所述电致变色层包括：复数个由第一光学结构层或第二光学结构层、介质层依次交替叠加排列形成的层数对结构；

其中，所述第一光学结构层、第二光学结构层是光学反射性和/或光学透射性的，所述介质层与第一光学结构层、第二光学结构层的结合界面分别为所述介质层的第一表面、第二表面，所述第一表面、第二表面与介质层配合形成一光学腔；在入射光从第一光学结构层或第二光学结构层入射所述光学腔时，于所述第一表面形成的反射光和于所述第二表面形成的反射光的相移d为所述介质层的厚度，为所述介质层的折射率，λ为所述入射光的波长，为所述入射光在透过所述第一表面或第二表面时的折射角。

2.根据权利要求1所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：若定义所述第一光学结构层的折射率为则所述第一表面的反射系数其中为入射光于第一表面的入射角；

和/或，若定义所述第二光学结构层的折射率为则所述第二表面的反射系数其中为入射光在透过第二表面时的折射角。

3.根据权利要求2所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述电致变色层的反射系数表示为：反射率表示为：

4.根据权利要求1-3中任一项所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：若定义所述第一光学结构层的折射率为则所述第一光学结构层的透射系数其中为入射光于第一表面的入射角；

和/或，若定义所述第二光学结构层的折射率为则所述第二光学结构层的透射系数其中为入射光在透过第二表面时的折射角。

5.根据权利要求4所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述电致变色层的透射系数表示为：透过率表示为：

6.根据权利要求1所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述电致变色层具有光学透射工作模式、光学反射工作模式或者光学透射及反射工作模式；优选的，在所述光学反射工作模式下，所述电致变色层具有双面不对称结构色，而在所述光学透射工作模式下，所述电致变色层具有透明结构色。

7.根据权利要求1所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述层数对结构的数量N≥2，优选为N＝2～6。

8.根据权利要求1所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：第一光学结构层、第二光学结构层中的任一者为金属层，另一者由气体组成，所述气体包括空气；或者，第一光学结构层、第二光学结构层均为金属层。

9.根据权利要求8所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述第一光学结构层和第二光学结构层中至少一者的材质包括金属材料；优选的，所述金属材料包括包括钨、金、银、铜、钛、铝、铬、铁、钴、镍、铂、锗、钯中的任意一种或多种的组合。

10.根据权利要求9所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述第一光学结构层和第二光学结构层的厚度和/或材质不同。

11.根据权利要求10所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述第一光学结构层或第二光学结构层的厚度为0～30nm，优选为10～30nm。

12.根据权利要求10所述的高亮度、饱和度、纯度的多彩电致变色结构，其特征在于：所述第一光学结构层或第二光学结构层还与基底结合；优选的，与基底结合的第一光学结构层或第二光学结构层的厚度在100nm以上，优选为100～3000nm，其余第一光学结构层或第二光学结构层的厚度为10～30nm。