[发明专利]电构件在审

专利信息
申请号: 202010999064.2 申请日: 2015-07-29
公开(公告)号: CN112153814A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: J·弗兰克;K·黑贝勒;O·布赖特维泽尔;T·考夫曼 申请(专利权)人: TDK-迈克纳斯有限责任公司
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18;G01R33/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王琼
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 构件
【权利要求书】:

1.电构件,

具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100),

其中,第一壳体部分(100)一体式地构造并具有第一凹槽形成型部(110),所述第一凹槽形成型部(110)盆形地构造有环绕的边缘,其中所述环绕的边缘被向下形成到底部并形成倾斜的凹槽壁,

其中,在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200),

其中,在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310,320,330),所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上,

其中,所述至少两个印制导线(310,320,330)与所述集成电路连接,

其中,所述第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料(400)填充,

其中,所述印制导线(310,320,330)在面向所述电路载体的所述外侧(130)上的机械式去耦合通过直的或U形的平行的切口(140,150)获得,其中两个彼此平行地延伸的切口(140,150)构造得不达到所述下侧(130)上的外边缘;

第一壳体部分(100)具有第二凹槽形成型部,并且,

在所述第二凹槽形成型部中布置有永磁体(601)和/或导磁材料。

2.如权利要求1所述的电构件,其中,在第一半导体本体(200)和第一壳体部分(100)之间引入由第三塑料化合物组成的用于与第一半导体本体(200)和与第一壳体部分(100)材料锁合地连接的固定层(500)。

3.如前述权利要求之一所述的电构件,其中,第一壳体部分(100)作为压力注塑件制成,其中,添加有所述至少两个印制导线(310,320,330)。

4.如前述权利要求之一所述的电构件,其中,在所述第一凹槽形成型部(110)中布置有一具有另一集成电路的第二半导体本体和/或一无源元件(703)。

5.如前述权利要求之一所述的电构件,其中,所述第一凹槽形成型部(110)构造在第一壳体部分(100)的带有所述至少两个印制导线(310,320,330)的所述外侧(130)上。

6.如前述权利要求之一所述的电构件,其中,第一壳体部分(100)的具有所述至少两个印制导线(310,320,330)的所述外侧(130)与第一壳体部分(100)的带有所述第一凹槽形成型部(110)的一侧对置。

7.如前述权利要求之一所述的电构件,其中,所述至少两个印制导线(310,320,330)在第一壳体部分(100)的所述外侧(130)上按照标准化的端子配置图(JEDEC)布置。

8.如前述权利要求之一所述的电构件,其中,在第一凹槽形成型部(112)的侧面在所述壳体部分(102)的所述外侧上存在至少两个印制导线(312,322,332)。

9.如权利要求1所述的电构件,其中,所述环绕的边缘具有从0.1mm到1.0mm范围内的厚度并且所述第一壳体部分(100)具有至少0.8mm的高度。

10.如权利要求1所述的电构件,其中,所述切口(140,150)分别自所述下侧(130)上的外边缘距离0.1mm至1.0mm范围内。

11.如权利要求1至10之一所述的电构件,其中,第二凹槽形成型部盆形地构造有环绕的边缘并且所述永磁体(601)和/或所述导磁材料填充所述第二凹槽形成型部。

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