[发明专利]基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米材料的方法

权利要求书

1.一种基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S1：按照目标合金Zr_aAl_bCo_cM_d配比各金属单质，熔炼得到母合金；其中，55 at.%≤a≤56at. %，13 at.%≤b≤20 at. %，20 at.%≤c≤28at. %，0 at.%≤d≤5 at. %，M为 Nb、Cu、Ag、Ni金属元素中的任一种；

S2：将S1中得到的母合金通过单辊甩带急冷法处理以获得Zr_aAl_bCo_cM_d非晶合金条带；

S3：在标准三电极系统中，以S2中所得的Zr_aAl_bCo_cM_d非晶合金条带为工作电极，以目标沉积基底为对电极，通过恒电位极化方法腐蚀Zr_aAl_bCo_cM_d非晶合金条带，并在对电极上沉积到所需纳米结构材料；

其中，纳米结构材料直接沉积在基底上，且纳米结构材料为成分可控的纳米片或纳米花结构。

2.根据权利要求1所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于，所述标准三电极体系具体为：以Zr_aAl_bCo_cM_d非晶合金条带为工作电极，以目标沉积基底为对电极，以饱和甘汞电极为参比电极，以NH₄F和(NH₄)₂SO₄ 混合水溶液为电解液，在一定的极化电位下进行恒电位极化。

3.根据权利要求2所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于：所述目标沉积基底为泡沫镍基底或碳纸基底。

4.根据权利要求2所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于：所述极化电位为1.5-3V，极化时间为1-3h。

5.根据权利要求2所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于：所述的对电极面积为0.6*1.1cm。

6.根据权利要求2所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于：所述NH₄F的浓度为0.5 wt%，(NH₄)₂SO₄浓度为1M；其中，NH₄F：(NH₄)₂SO₄的摩尔比为0.135:1。

7.根据权利要求1所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于：所述熔炼方法优选为电弧熔炼。

8.根据权利要求1所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法，其特征在于：所述单辊甩带急冷法的甩带铜辊转数为2500rpm。

9.一种纳米结构材料，其特征在于：根据权利要求1-8任意一项所述的基于腐蚀非晶合金阳极材料进行电沉积制备纳米结构材料的方法所制备。