[发明专利]基于March算法的DRAM故障检测方法和装置

说明书

本申请提供了一种基于March算法的DRAM故障检测方法和装置，运用于半导体集成电路测试技术领域，通过不同数据背景对一个存储单元的反复读写，能够检测到原有March算法难以发现的单元内不同位之间的耦合故障，同时能够检测内存单元的读写稳定性，通过在写操作和读操作之间增加一个延迟操作，若芯片内部出现漏电故障BF，则高电压的cell会向低电压的cell漏电，经过一段时间的漏电之后高电压的cell则不能维持原有的数据，故会发生故障，而增加的延迟延时操作可以有效检测到存储单元的数据保留故障DRF。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路测试技术领域，特别涉及为一种基于March算法的DRAM故障检测方法和装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展和集成电路制造水平的不断提高，集成电路芯片的密度越来越大，存储器的容量和速度也在快速增长，存储器发生故障的概率也越来越大，故障种类越来越多，存储器的故障检测也越来越难。存储器故障可分为物理故障和逻辑故障，存储器物理故障指的是存储器在生产制造过程中物理结构发生了改变，逻辑故障是简化的存储器故障模型，所有的物理缺陷都可以映射为存储器故障模型。

目前直接检测存储器的物理故障比较困难，现有技术一般检测存储器的逻辑故障以反映物理故障。逻辑故障包括固定故障SAF、转换故障TF、耦合故障CF、寻址故障AF、数据保留故障DRF等。DRAM内存的检测一般是由软件实现的，针对上述存储器故障模型，人们设计出了许多存储器检测算法，不同的算法具有不同的实现方式、复杂度和故障覆盖率。检测算法的复杂度越低、故障覆盖率越高，则算法的检测效率越好，如果一个算法能够用最少的测试向量检测最多的故障，那么这个算法的检测效率越好。

March算法是最常用的存储器检测算法，也是目前存储器检测算法研究的重点。March算法的基本思路是对所有单元按照地址升序(降序)一次进行一组读/写操作(可以是一次或者多次读/写操作，即一个March过程)，自从March算法诞生以来，经过长期的研究和发展，针对各种存储器故障类型，March算法已经衍生出许多不同的形式，它们的March过程不同，能够检测到的故障种类也不同。原有March C-算法已经能覆盖到如固定故障、转换故障、耦合故障、寻址故障等大多数存储器故障，且该测试算法相对简单，但无法检测到一个单元内的相互耦合产生的故障和数据保留故障DRF。

其中，数据保留故障(Data Retention Fault)，是数据在规定时间内不能保留其逻辑值而使存储器发生故障。由于内存单元发生故障导致电容漏电增加，而使内存单元逻辑值经过一些周期由于漏电而改变，即存储单元在规定的时间内不能保存逻辑值，如果不能检测出存储器这种故障，那么使用这种存储器时将会导致数据丢失。

发明内容

本申请提供一种基于March算法的DRAM故障检测方法和装置，在原有March算法的基础上，提出的一个新型改进型方法，该方法能大大提高故障覆盖率从而提高存储器测试效率，根据存储器测试程序对待测试的DRAM进行写读操作，写读操作覆盖到所有可操作的存储器地址，针对存储器常见的单元内的耦合故障CF和数据保留故障DRF，用该方法可有效检测出这些故障。

本申请为解决技术问题采用如下技术手段：

本申请提出一种基于March算法的DRAM故障检测方法，包括：

S1，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，对DRAM内各个存储单元进行依序写值操作；

S2，对各个存储单元进行延迟操作；

S3，所述延迟操作之后对各个存储单元进行读值操作，并判断读取的数值是否与写入的数值一致，若一致，则DRAM不存在数据保留故障，反之，则DRAM存在数据保留故障，完成DRAM数据保留故障的检测。

进一步地，所述根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，对DRAM内各个存储单元进行依序写值操作的步骤，包括：