[发明专利]一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法在审
| 申请号: | 202010966329.9 | 申请日: | 2020-09-15 | 
| 公开(公告)号: | CN112086528A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 | 
| 发明(设计)人: | 王建禄;伍帅琴;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 | 
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 | 
| 地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 铁电畴 定义 串联 二维 电池 制备 方法 | ||
1.一种铁电畴定义的串联二维光伏电池,包括铁电功能层(1)、金属电极(2)、双极性过渡金属化合物二维半导体(3)、绝缘硅衬底(4),其特征在于,
所述的串联二维光伏电池结构自上而下依次为:铁电功能层(1)、金属电极(2)、双极性过渡金属化合物二维半导体(3)、绝缘硅衬底(4),其中:
所述的铁电功能层(1)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜,厚度为60纳米;
所述的金属电极(2)为铬覆盖在双极性过渡金属化合物二维半导体上,金覆盖在铬上面的形状为立方体的3个金属电极,分别设置在双极性过渡金属化合物二维半导体(3)的两端及中间,铬厚度为15纳米,金厚度为25纳米;
所述的双极性过渡金属化合物二维半导体(3)为双极性过渡金属化合物MoTe2,厚度为8-12纳米;
所述的绝缘硅衬底(4)为表面覆盖有厚度为285纳米的二氧化硅的硅衬底。
2.一种制备如权利要求1所述铁电畴定义的串联二维光伏电池的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)采用机械剥离转移方法将双极性过渡金属化合物二维半导体(3)转移至绝缘硅衬底(4)表面;
2)采用紫外光刻技术或者电子束曝光技术,结合热蒸发及剥离工艺制备3个金属电极(2),且3个金属电极分别位于双极性过渡金属化合物二维半导体(3)的两端及中间,形成左右两个平行的沟道;
3)运用旋涂方法制备铁电功能层(1),并在130℃温度下退火2小时保证功能层的结晶特性;
4)利用压电力显微镜极化铁电功能层,具体方法为:利用压电力显微镜针尖施加在铁电功能层(1)上的电压来极化P(VDF-TrFE),扫描电压和扫描频率分别控制为±25V和1.5Hz,扫描过程中,材料左数第一个沟道的左侧P(VDF-TrFE)施加+25V扫描电压,右侧施加-25V扫描电压,使两边的极化方向相反,极化方向分别指向和背向二维材料;同理,材料左数第二个沟道的左侧P(VDF-TrFE)施加+25V扫描电压,右侧施加-25V扫描电压,使两边的极化方向分别远离和指向二维材料,进而利用铁电场调控二维材料形成面内PNPN结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





