[发明专利]一种基于模式正交的双频高隔离度手机MIMO天线

权利要求书

1.基于模式正交的双频高隔离度手机MIMO天线，其特征在于，包含介质基板、第一介质板、第二介质板、第一天线模块和第二天线模块；

所述介质基板、第一介质板、第二介质板均为矩形板，其中，所述介质基板反面中心印刷有金属地板，金属地板长度和介质基板的长度相同、宽度小于介质基板的宽度；所述第一介质板、第二介质板的长度和介质基板的长度相同，所述介质基板的两条长边分别与第一介质板、第二介质板垂直固连，且介质基板的一个长边位于第一介质板两条长边之间的中线上、另一个长边位于第二介质板两条长边之间的中线上；

所述第一天线模块、第二天线模块结构相同，均包含第一天线单元、第二天线单元和解耦单元；

所述第一天线单元、第二天线单元结构相同，均包含单极子和偶极子；

所述单极子包含单极子臂、第一微带线、同轴和第一馈电端口，所述单极子臂包含T形枝节和U形枝节，所述T形枝节包含长边以及和长边中点垂直相连的短边，所述U形枝节包含底边以及和底边两端垂直相连的两条侧边，所述T形枝节的短边末端伸入U形枝节内和U形枝节底边的中点垂直相连；

所述偶极子包含第一至第四L形枝节、第二微带线、第三微带线、馈电巴伦、第二馈电端口、第一接地枝节和第二接地枝节；所述第一至第四L形枝节均包含长边以及一端和长边一端垂直相连的短边，第一、第三L形枝节结构相同，第二、第四L形枝节结构相同，第一L形枝节长边、短边的长度分别大于第二L形长边、短边的长度；所述第二微带线、第三微带线结构相同，平行设置；所述第一L形枝节长边的末端和第二微带线的低端垂直相连，形成U形结构，所述第二L形枝节设置在第一L形枝节内、且第二L形枝节长边的末端和第二微带线的低端垂直相连；所述第三L形枝节、第四L形枝节长边的末端均和第三微带线的低端垂直相连；所述第二微带线、第一L形枝节、第二L形枝节组成的整体和第三微带线、第三L形枝节、第四L形枝节组成的整体关于所述单极子的T形枝节短边所在直线相互对称；所述馈电巴伦的外导体和所述第二微带线相连、内导体和所述第三微带线相连；所述第二馈电端口和所述馈电巴伦相连；

所述解耦单元包含第一谐振枝节、第二谐振枝节、第三接地枝节和第四接地枝节；

令第一天线模块中第一天线单元、第二天线单元的单极子分别为单极子A、单极子B，第一天线模块中第一天线单元、第二天线单元的偶极子分别为偶极子A、偶极子B；第二天线模块中第一天线单元、第二天线单元的单极子分别为单极子C、单极子D，第二天线模块中第一天线单元、第二天线单元的偶极子分别为偶极子C、偶极子D；第一、第二天线模块的解耦单元分别解耦单元A、解耦单元B；

所述单极子A的单极子臂设置在第一介质板的内壁上、位于介质基板正面一侧，且该单极子臂中U形枝节开口朝向T形枝节、底边平行于第一介质板的长边；所述单极子A的第一微带线设置在介质基板的正面上、和其T形枝节短边的末端相连，单极子A同轴的外导体接所述金属地板、单极子A同轴的内导体穿过介质基板接单极子A的第一微带线；所述单极子A的第一馈电端口和其同轴相连；

所述单极子B的单极子臂设置在第一介质板的内壁上、单极子B的第一微带线设置在介质基板的正面上，单极子B和单极子A关于经过第一介质板两条长边的中线且垂直于第一介质板的平面对称；

所述解耦单元A中，第一、第二谐振枝节均设置在第一介质板的内壁上、位于介质基板正面一侧，第三、第四接地枝节均设置在介质基板的反面，第一谐振枝节通过第三接地枝节和金属地板相连、用于降低单极子A和单极子B在3.5GHz处的耦合程度，第二谐振枝节通过第四接地枝节和金属地板相连、用于降低单极子A和单极子B在4.85GHz处的耦合程度；

所述偶极子A设置在第一介质板的内壁上、位于介质基板反面一侧，偶极子A的第二微带线、第三微带线平行于单极子A的T形枝节的短边，偶极子A的第二微带线和其第一L形枝节形成的U形结构开口朝向单极子A，且偶极子A的第二微带线、第三微带线关于单极子A的T形枝节短边所在直线对称；偶极子A的第一接地枝节用于连接第三微带线的高端和金属地板，偶极子A的第二接地枝节用于连接第二微带线的高端和金属地板；

所述偶极子B设置在第一介质板的内壁上，偶极子B和偶极子A关于经过第一介质板两条长边的中线且垂直于第一介质板的平面对称；

所述单极子C的单极子臂、单极子D的单极子臂、偶极子C、偶极子D、解耦单元B的第一谐振枝节、解耦单元B的第二谐振枝节均设置在第二介质板的内壁上，单极子C、单极子D的第一微带线设置在介质基板的正面上，解耦单元B的第三、第四接地枝节设置在介质基板的反面，且第二天线模块和第一天线模块关于经过介质基板两条短边的中线且垂直于介质基板的平面对称。