[发明专利]一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器及其制备方法有效
| 申请号: | 202010959059.9 | 申请日: | 2020-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN112071989B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 沈亮;姜继忠;姚梦楠;魏薇;赵岩;刘君实;王宇飞;郭文滨 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;C30B7/00;C30B29/12 |
| 代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
| 地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 钙钛矿单晶 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其步骤如下:
(一)制备钙钛矿单晶
制备FAPbBr3溶液:将摩尔比为0.8~1.25:1的FABr和PbBr2混合溶解到体积比为0~1:1的γ-丁内酯和二甲基甲酰胺溶液中,然后在室温下混合搅拌8~12 h至钙钛矿材料全部溶解,得到FAPbBr3溶液;
制备籽晶:将步骤1)得到的FAPbBr3溶液升温至70~85 ℃,保持一段时间直至溶液中产生橙色钙钛矿小籽晶晶粒;
生长单晶:将步骤2)得到的晶体形状较规则的钙钛矿小籽晶晶粒移入到按步骤1)所述方法新配置的FAPbBr3溶液中继续生长,从50~55 ℃的起始温度开始按照0.25~0.75 ℃/h的速度升温24~36 h,从而获得上下表面为正方形的长方体形状的FAPbBr3钙钛矿单晶;
制备基于钙钛矿单晶的X射线探测器
将上下表面为正方形的长方体形状的FAPbBr3钙钛矿单晶进行10~20分钟的臭氧钝化处理;随后,在该长方体形状单晶顶面利用物理气相沉积法蒸镀金属金作为正极,在该单晶底面黏结金属镓作为负极,从而得到基于钙钛矿单晶的X射线探测器。
2.如权利要求1所述的一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其特征在于:步骤1)中的搅拌时间为10~11 h。
3.如权利要求1所述的一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其特征在于:步骤2)中是将FAPbBr3溶液升温至75~80 ℃。
4.如权利要求1所述的一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其特征在于:步骤3)中晶体形状较规则的钙钛矿小籽晶晶粒是上下表面为正方形的长方体,上下表面边长为0.1~0.2 cm,厚度为0.05~0.1 cm。
5.如权利要求1所述的一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其特征在于:步骤3)中的升温速度为0.5 ℃/h。
6.如权利要求1所述的一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其特征在于:步骤3)中得到的上下表面为正方形的长方体形状的FAPbBr3钙钛矿单晶上下表面的正方形边长为0.6~1.2 cm,厚度为0.3~0.5 cm。
7.如权利要求1所述的一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法,其特征在于:上下表面为正方形的长方体形状的FAPbBr3钙钛矿单晶顶面金电极的厚度为20~30 nm,底面镓电极的厚度为100~300 μm。
8.一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器,其特征在于:是由权利要求1~7任何一项所述的方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





