[发明专利]一种低温烧结高品质因素微波介质陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010937212.8 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112010650A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 李春宏;钟云;康晓丽;崔旭东 申请(专利权)人: 中物院成都科学技术发展中心
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/462;C04B35/64;C04B35/634
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 苟铭
地址: 610200 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 烧结 品质 因素 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低温烧结的高品质因素微波介质陶瓷,其特征在于,其化学组成式为:RxM2x+1Ti1+xO13+y(0.5Bi2O3+CuO),其中Re=La、Ce、Y、Pr、Dy、Eu的一种或几种的组合,M为ZnO、NbO2、MgO、CaO的一种或几种的组合,0.2≤x≤1,1≤y≤2wt%。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结高品质因素锂铌钛基微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将La2O3、Ce2O3、Pr6O11、Y2O3、Dy2O3、Eu2O3、Nb2O5、ZnO、MgO、CaO、TiO2其中的一种或几种组合按上述化学式RxM2x+1Ti1+xO13+0.5yBi2O3+yCuO进行配料,加入乙醇湿法球磨后烘干;

(2)将步骤(1)球磨后烘干的粉料,按比例加入烧结助剂Bi2O3+CuO和乙醇研磨、烘干,并加入粘结剂造粒,压制成小圆片;

(3)将小圆片装入氧化铝坩埚内400℃预烧4~6h排胶;

(4)将步骤(3)所得小圆片在800~950℃,空气气氛中烧结3~5h,即可得到所述的低温烧结高品质因素微波介质陶瓷。

3.根据权利要求1所述的一种低温烧结高品质因素锂铌钛基微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(1)中粉体、氧化锆球、乙醇重量比为1:4:2,在卧式球磨机中球磨5-8小时,合成均匀混合物。

4.根据权利要求2所述的一种低温烧结高品质因素锂铌钛基微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(1)中将球磨后的粉体过40目筛,然后在烘箱中80℃温度下烘干2~4小时。

5.根据权利要求2所述的一种低温烧结高品质因素锂铌钛基微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,加入2wt%聚乙烯醇粘结剂造粒,在4~6MPa下,压制成直接16mm,高4~6mm的小圆片。

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