[发明专利]一种超级结器件及终端

权利要求书

1.一种半导体器件的终端，包括：

位于所述终端内的宽槽；以及

侧壁注入区，位于所述宽槽靠近有源区方向的侧壁上，所述侧壁注入区包括：

下注入区，具有第一掺杂类型；以及

上注入区，具有第一掺杂类型，其中所述下注入区的宽度小于所述上注入区的宽度；其中

所述半导体器件还包括：

有源区以及覆盖于所述有源区表面的金属层，所述金属层靠近终端处的边缘位于所述上注入区上方且与所述上注入区接触；以及

终端底部注入区，具有第一掺杂类型，位于所述宽槽底部并与所述下注入区接触，所述终端底部注入区的宽度等于或大于所述宽槽底部与漂移区底部之间的间距。

2.如权利要求1所述的终端，其中所述下注入区的掺杂浓度低于所述上注入区的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的终端，其中所述上注入区的掺杂浓度自所述上注入区的底部至顶部递增。

4.如权利要求1所述的终端，其中所述上注入区包括：

第一调整区，具有第一掺杂类型，位于所述上注入区顶部；以及

第二调整区，具有第一掺杂类型，位于所述第一调整区下方；其中

所述第一调整区的掺杂浓度大于所述第二调整区的掺杂浓度，或者所述第一调整区的宽度大于所述第二调整区的宽度。

5.如权利要求4所述的终端，其中所述上注入区还包括：

第三调整区，具有第一掺杂类型，位于所述第二调整区下方且位于所述上注入区底部，所述第二调整区的掺杂浓度大于所述第三调整区的掺杂浓度，或者所述第二调整区的宽度大于所述第三调整区的宽度。

6.如权利要求1所述的终端，其中所述上注入区的左边缘与所述下注入区的左边缘对齐，或者所述上注入区的右边缘与所述下注入区的右边缘对齐。

7.如权利要求1所述的终端，其中所述侧壁与所述宽槽底部之间的夹角小于或等于90度。

8.一种超级结器件，包括漂移区，形成于漂移区内的有源区和终端，所述超级结器件包括：

位于有源区内的多个超级结；

位于终端内的宽槽；

侧壁注入区，位于所述宽槽靠近有源区方向的侧壁上；

覆盖于所述有源区表面的金属层，所述金属层靠近终端处的边缘位于所述侧壁注入区上方且与所述侧壁注入区接触；以及

终端底部注入区，具有第一掺杂类型，位于所述宽槽底部并与所述侧壁注入区接触，所述终端底部注入区的宽度等于或大于所述宽槽底部与所述漂移区底部之间的间距；其中

在所述超级结器件的第一深度处，所述各个超级结之间具有第一宽度，所述有源区边缘靠近终端的超级结与所述侧壁之间具有第二宽度，所述第二宽度等于或小于所述第一宽度。

9.如权利要求8所述的超级结器件，所述侧壁注入区包括：

下注入区，具有第一掺杂类型；以及

上注入区，具有第一掺杂类型，其中所述下注入区的宽度小于所述上注入区的宽度。