[发明专利]对电力损失的响应

说明书

本发明涉及对电力损失的响应。本发明涉及操作存储器的方法及经配置以执行类似方法的存储器，所述方法可包含：响应于供应电压减小到第一阈值，起始通过晶体管连接到局部存取线的全局存取线的放电且使所述晶体管的控制栅极电浮动；及响应于所述供应电压减小到低于所述第一阈值的第二阈值，起始所述晶体管的所述控制栅极的放电。

技术领域

本发明大体来说涉及集成电路元件，且特定来说，在一或多个实施例中，本发明涉及用于对电力损失做出响应的方法及设备。

背景技术

集成电路装置遍及宽广范围的电子装置。一种特定类型包含存储器装置，时常地简称为存储器。存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)进行编程(其通常称为写入)而发生的存储器单元的阈值电压(Vt)的改变或其它物理现象(例如，相变或极化)确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、器具、交通工具、无线装置、移动电话及可装卸式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩大。

NAND快闪存储器是快闪存储器装置的常见类型，如此称谓是出于基本存储器单元配置所布置成的逻辑形式。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得阵列的行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。阵列的列包含在一对选择栅极(例如，源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元串(通常称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。已知在存储器单元串与源极之间及/或在存储器单元串与数据线之间使用一个以上选择栅极的变化形式。

集成电路装置通常依赖于具有稳定供应电压电平的电力供应器来进行恰当操作。如果装置被突然断电或在其它方面以不受控方式失去电力(例如，异步电力损失)，那么装置可需要采取行动来将装置内的电压电平放电以减轻信息损毁或甚至对装置自身的物理损坏。

发明内容

本发明的一个实施例提供一种操作存储器的方法，其包括：响应于供应电压减小到第一阈值，起始通过晶体管连接到局部存取线的全局存取线的放电且使所述晶体管的控制栅极电浮动；及响应于所述供应电压减小到低于所述第一阈值的第二阈值，起始所述控制栅极的放电。

本发明的另一实施例提供一种操作存储器的方法，其包括：响应于供应电压减小到第一阈值：停止对所述存储器的存储器单元阵列的特定存储器单元的存取操作；起始多个全局存取线的放电，其中所述多个全局存取线中的每一全局存取线通过多个晶体管中的相应晶体管连接到多个局部存取线中的相应局部存取线，其中所述多个晶体管的控制栅极是共同连接的；且使所述多个晶体管的所述控制栅极电浮动；及响应于所述供应电压减小到低于所述第一阈值的第二阈值：起始所述多个晶体管的所述控制栅极的放电。

本发明的又一实施例提供一种存储器，其包括：存储器单元阵列；局部存取线，其连接到所述存储器单元阵列的多个存储器单元；全局存取线，其通过晶体管选择性地连接到所述局部存取线；放电电路，其选择性地连接到所述晶体管的控制栅极；及能量存储器件，其选择性地连接到供应电压节点且选择性地连接到所述放电电路；其中所述能量存储器件经配置以在所述供应电压节点的电压电平高于第一阈值时连接到所述供应电压节点且与所述放电电路断开连接；且其中所述能量存储器件经配置以响应于所述供应电压节点的所述电压电平从所述第一阈值减小到低于第二阈值而与所述供应电压节点断开连接且连接到所述放电电路。