[发明专利]一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件

权利要求书

1.一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，其特征在于：该探测器件结构自下而上分别为：底部电极结构（1），半导体层（2），金属薄膜层（3），介质层（4）以及顶部的金属圆盘结构（5）。

2.如权利要求1所述的一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，其特征在于：所述的圆盘超表面结构（5）在空间分布上呈正六边形分布，圆盘厚度为10nm～200nm，圆盘周期为200～2000nm，圆盘半径为80～900nm，其材料为金、银、铝、钯、铜中的其中一种或多种上述金属组合的合金。

3.如权利要求1所述的一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，其特征在于：所述的介质层（4）的厚度为20nm～500nm，其材料为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、氧化锌、二氧化钛、氧化铪或者氟化镁中的一种或者多种。

4.如权利要求1所述的一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，其特征在于：所述的金属薄膜层（3）厚度为10nm～80nm，其材料为金、银、铝、钯、铜中一种或多种金属的合金，其作用不仅能够做为光学波导实现窄带分光，同时可以做为底部半导体层（2）的电极，与底部电极结构（1）形成对电极，实现光电流的探测功能。

5.如权利要求1所述的一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，其特征在于：所述的半导体层（2）的厚度为100nm～5000nm，其材料为氧化锌、氧化钛、硅、锗、砷化镓、磷化铟或铟镓砷，其结构为任意一种上述材料的层状结构或者多种上述材料叠加组成PN结型或者PIN结型结构。

6.如权利要求1所述的一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，其特征在于：所述底部电极结构（1）的厚度为50 nm以上，其材料为金、银、铜或者铝中的一种或者多种上述金属组成的合金。