[发明专利]一种铟砷锑组分确定方法及装置

说明书

本发明公开了一种铟砷锑组分确定方法及装置，将预先装入样品的样品室降温至预设温度；将预设功率下激光器发出的激光入射至预设温度的样品上；基于获取的所述样品的光致发光信号确定对应的组分数据，本发明实施例通过将预先装入样品的样品室降温至预设温度，能够极大减少背景辐射对材料信号的影响，从而实现精确获取铟砷锑材料中的组分大小，不用制作器件测试响应值，即可得到材料的发光波长。

技术领域

本发明涉及红外探测器将技术领域，尤其涉及一种铟砷锑组分确定方法及装置。

背景技术

InAs_xSb_1-x是一种典型的III-V族三元化合物半导体材料，是目前发现的禁带宽度最小的本征型III-V族化合物半导体。InAs_xSb_1-x以其结构稳定、高载流子迁移率、小介电常数等优点在中长波红外探测领域具有潜在的应用前景。InAs_xSb_1-x在室温下的禁带宽度可小到0.099eV(对应截止波长为12.5μm)甚至更小，所以可以用于LWIR的探测。InAs_xSb_1-x的结构稳定，As与Sb和In之间都是稳定的共价键结合，而且InAs_xSb_1-x有比Hg_xCd_1-xTe还要高的载流子迁移率，而介电常数(约15)和室温下的自扩散系数(约5.2×10-16cm²/s)都比较小，所以InAs_xSb_1-x是Hg_xCd_1-xTe比较理想的一种替代材料。

对于分子束外延MBE生长的InAs_xSb_1-x材料来说，组分的控制对材料后续工艺至关重要。特别的InAs_xSb_1-x材料中As组分的大小，对材料波长的控制十分重要，但InAs_xSb_1-x材料光致发光信号较弱，需要制作成器件测试器件响应值得到材料的发光波长。

发明内容

本发明实施例提供一种铟砷锑组分确定方法及装置，实现不用制作器件测试响应值，即可得到材料的发光波长，减少制造成本。

第一方面，本发明实施例提供一种铟砷锑组分确定方法，包括：

将预先装入样品的样品室降温至预设温度；

将预设功率下激光器发出的激光入射至预设温度的样品上；

基于获取的所述样品的光致发光信号确定对应的组分数据。

可选的，将预先装入样品的样品室抽真空后降温至预设温度之前，还包括：

通过预设方法在衬底上生长InAs_xSb_1-x材料，以获得所述样品。

可选的，将预设功率下激光器发出的激光入射至预设温度的样品上，包括：

开启预设功率下的激光器发出连续激光；

将所述连续激光通过斩波器调制成交变信号后入射到所述预设温度的样品上。

可选的，基于获取的所述样品的光致发光信号确定对应的组分数据，包括：

通过预先抽真空后的干涉仪将所述样品产生的光致发光信号传入锁相放大器进行处理，以获得光致发光信号谱图。

可选的，基于获取的所述样品的光致发光信号确定对应的组分数据，还包括：

根据所述光致发光信号谱图确定目标材料的禁带宽度；

基于所述目标材料的禁带宽度确定对应的组分数据。