[发明专利]一种基于MOF-AuNPs涂层的超低阻抗电极界面的制备方法

权利要求书

1.一种基于MOF-AuNPs涂层的超低阻抗电极界面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.将MOF材料超声分散于重蒸水中，搅拌条件下加入聚乙烯酰胺水溶液并反应12～24h，洗涤后重分散于重蒸水中，得聚乙烯酰胺修饰的MOF材料分散液；

b.打磨抛光玻碳电极并用超纯水超声冲洗，保护气氛条件下干燥，得到抛光的玻碳电极；

c.将聚乙烯酰胺修饰的MOF材料分散液滴加在抛光的玻碳电极表面，干燥，得到MOF材料修饰的电极；

d.于含有HAuCl4的KCl溶液中，建立三电极体系，以MOF材料修饰的电极作为工作电极，Pt电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法进行电沉积，电位扫描范围为-1.2V～0V，扫描速度为0.02～0.1V/s，扫描段数为6～30段，电沉积结束后，将电极取出并用重蒸水冲洗干净，干燥后得到基于MOF-AuNPs涂层的超低阻抗电极界面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的MOF材料为MIL-101(Fe)、MIL-101(Cr)或MIL-100(Fe)。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的MOF材料与聚乙烯酰胺的质量比为1:3～5。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的MOF材料分散于重蒸水中后形成的浓度为0.5～1.5mg/mL，所述的聚乙烯酰胺水溶液的浓度为质量分数5％～10％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤b的打磨抛光玻碳电极并用超纯水超声冲洗，包括以下步骤：玻碳电极依次用粒径为1.0、0.3和0.05μm的氧化铝在抛光布上打磨2min，每用一种粒径的氧化铝抛光粉后需用超纯水冲洗电极表面并超声5min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤a的超声分散，超声时间为2～5min；所述的步骤a的搅拌，搅拌速率为600～1200r/min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的聚乙烯酰胺修饰的MOF材料分散液浓度为0.5～1.5mg/mL，滴加体积为5～10μL。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的含有HAuCl4的KCl溶液，其中HAuCl4的浓度为1～10mmol/L，KCl的浓度为0.1mol/L。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的基于MOF-AuNPs涂层的超低阻抗电极界面。

10.权利要求9所述的基于MOF-AuNPs涂层的超低阻抗电极界面在电化学生物传感器中的应用。