[发明专利]一种促进微生物Ar-4生物冶金浸出率的光电能法

权利要求书

1.光电子催化在提高嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402培养物或其发酵产物或其悬浮液从硫化金属矿中浸取目的金属或目的金属离子中的应用；

所述光电子催化采用外加固定阴极电势，所述固定阴极电势具体为400 mV-500mV；

所述应用为将所述嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402或其培养物或其发酵产物或其悬浮液、硫化金属矿和培养基混匀，得到电子反应体系，再在外加恒电势电子作用下进行通电反应；

所述嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402在电子反应体系中混匀的初始浓度为5.0×10⁶-5.0×10⁷ cell/mL；

所述硫化金属矿在电子反应体系中的初始浓度为2-10 g/ml；

所述通电反应的条件为：60-70℃、pH值2.0-4.0。

2.光电子催化在促进嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402生长中的应用；

或光电子催化在提高嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4CGMCC NO.3402生物量中的应用；

所述光电子催化采用外加固定阴极电势，所述固定阴极电势具体为400 mV-500mV。

3.嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402培养物或其发酵产物或其悬浮液在光电子催化作用下从硫化金属矿中浸取目的金属或目的金属离子中的应用；

或，嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402培养物或其发酵产物或其悬浮液在光电子催化作用下提高从硫化金属矿中浸取目的金属或目的金属离子浸出率中的应用；

所述光电子催化采用外加固定阴极电势，所述固定阴极电势具体为400 mV-500mV；

所述应用为将所述嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402或其培养物或其发酵产物或其悬浮液、硫化金属矿和培养基混匀，得到电子反应体系，再在外加恒电势电子作用下进行通电反应；

所述嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402在电子反应体系中混匀的初始浓度为5.0×10⁶-5.0×10⁷ cell/mL；

所述硫化金属矿在电子反应体系中的初始浓度为2-10 g/ml；

所述通电反应的条件为：60-70℃、pH值2.0-4.0。

4.根据权利要求1-3中任一所述的应用，其特征在于：

所述硫化金属矿为黄铜矿或辉铜矿；

和/或，所述目的金属为铜或铁；

和/或，所述目的金属离子为铜离子或铁离子。

5.一种从硫化金属矿中浸取目的金属的方法，包括如下步骤：在光电子催化作用下，用嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402对硫化金属矿进行生物浸矿，得到游离的目的金属单质或目的金属离子；

所述光电子催化采用外加固定阴极电势，所述固定阴极电势具体为400 mV-500mV；

所述生物浸矿包括如下步骤：

将所述嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402或其培养物或其发酵产物或其悬浮液、硫化金属矿和培养基混匀，得到电子反应体系，再在外加恒电势电子作用下进行通电反应；

所述嗜酸嗜热生金球菌Metallosphaera sp.Ar-4 CGMCC NO.3402在所述电子反应体系中混匀的初始浓度为5.0×10⁶-5.0×10⁷ cell/mL；

所述硫化金属矿在电子反应体系中的初始浓度为2-10 g/ml；

所述通电反应的条件为：60-70℃、pH值2.0-4.0。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于：

所述硫化金属矿为黄铜矿或辉铜矿；

和/或，所述目的金属为铜或铁；

和/或，所述目的金属离子为铜离子或铁离子。