[发明专利]存储器版图和网表自动生成的软件实现方法

说明书

本发明涉及一种存储器版图和网表自动生成的软件实现方法，实现了一种存储器拼接描述语言MCDL，使用该语言可以完成任意复杂结构的存储器拼接，最终得到版图和网表输出。用MCDL定义存储器拼接的特点是：1)版图拼接不需要定义绝对坐标，通过相邻单元之间的拓扑关系自动计算所有单元的坐标。2)自动从底层版图单元提取端口信息到顶层单元。3)自动生成版图圆环圈结构，把非关键部分的单元功能屏蔽，减少仿真运算量。4)网表拼接自动连接同名的端口。

技术领域

本发明涉及集成电路辅助设计软件工具中存储器设计领域。

背景技术

存储器(Memory)设计是集成电路芯片(IC)开发过程中的一个专门领域，存储器包括SRAM，DRAM，ROM，Register File，Flash等类型。为了能使存储器在多款芯片中使用，一般是将存储器划分成多个底层单元(Leaf Cell)，再根据一定的拼接规则将其拼接成指定大小的存储器。其容量和结构一般由如下变量指定：字(Words)的容量，每个字的位(Bits)数，和多路复用器(Mux)的宽度。

存储器版图和网表自动生成软件(Memory Compiler)是根据用户指定的Words，Bits，和Mux完成对应存储器拼接的软件工具。其结果输出包括GDSII版图和CDL网表。

本发明实现了一种存储器拼接描述语言(Memory Compiler DescriptionLanguage)，简称MCDL，使用该语言可以完成任意复杂结构的存储器拼接，最终得到版图和网表输出。

发明内容

附图1是使用本发明进行存储器编译的程序流程框图。程序首先读入MCDL语句描述的拼接定义，并从指定的标准GDS/CDL格式文件中加载leaf单元信息。然后，程序根据用户指定的容量大小(Word，Bits)和结构(Mux)参数，按照leaf单元信息和MCDL定义的拼接规则完成存储器的拼接。最终输出存储器的GDS和CDL文件。

MCDL基于TCL语言，提供变量存取，表达式计算，和控制结构(if，while，for)等基本语法结构支持，并针对存储器拼接提供如下的扩展命令：

1)MCDL_Placecell：rotateside：拼接版图单元cell到当前单元。一个版图单元的放置由两个参数决定，坐标(x，y)和旋转方向rotate。旋转方向有8种，分别为R0(不旋转)，R90(逆时针旋转90度)，R180(旋转180度)，R270(旋转270度)，MX(沿Y轴镜像)，MXR90(先沿Y轴镜像再旋转90度)，MY(沿X轴镜像)，MYR90(先沿X轴镜像再旋转90度)，坐标需要根据旋转方向进行调整。MCDL_Place命令的特征是，单元放置不需要考虑坐标，只需要考虑放置在已有图形的上方，下方，左方，还是右方(side)，程序会自动计算坐标，并保持当前单元的左下角坐标始终为(0，0)。

3)MCDL_MapBorderLabelpatternpin-list：提取版图底层单元的Label，将其映射为外部端口。普通存储器编译器只提供一层的Label映射，最终形成外部端口要经过多层Label映射，而本MCDL命令的特征是只要一次映射即可完成外部端口定义。命令首先根据pattern查找Leaf单元中的Label，pattern是一个正则表达式，例如，D*匹配D0，D1，D2...，D[0-3]匹配D0，D1，D2，D3。符合pattern的Label被提取后按坐标从小到大排列顺序，这样，位于存储器底部和顶部的Label按从左到右排列，位于存储器左部和右部的Label按从下到上排列。排列后的Label与pin-list按顺序一一对应，在相同位置生成外部端口。例如，Label提取结果A0，A1，A0，A1，A2，与A3：4，A0：2的pin-list对应，则在第一个A0处生成外部端口A3，在第一个A1处生成外部端口A4，在第二个A0处生成外部端口A0，在第二个A1处生成外部端口A1，在A2处生成外部端口A2。