[发明专利]温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统

权利要求书

1.一种温度传感器异常检测方法，其特征在于，该温度传感器异常检测方法应用于待测温度传感器的异常检测，所述待测温度传感器配设有校验温度传感器，校验温度传感器用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

该温度传感器异常检测方法包括步骤：

将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器；

将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

所述待测温度传感器还包括用于在信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路；

所述待测温度传感器还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

2.根据权利要求1所述的温度传感器异常检测方法，其特征在于，各所述的信号放大电路，均采用信号放大器。

3.一种温度传感器异常检测系统，其特征在于，该温度传感器异常检测系统应用于待测温度传感器的异常检测，包括：

校验温度传感器，与待测温度传感器配合使用，用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

差分放大器，包括两个输入端，该两个输入端连接待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端及校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端；

第二比较器，将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

测量温度定性检测电路，为待测温度传感器所配设，包括用于在待测温度传感器的信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路；

所述待测温度传感器还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。