[发明专利]一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法

权利要求书

1.一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在氮气氛围中，将0.2×10^-3mmol碲粉与过量的硼氢化钠混合，注入1.2～1.5mL去离子水，常温下反应至黑色碲粉完全消失，得到NaHTe；

2)以所述NaHTe中Te的摩尔量为标量；按Cd摩尔量:标量＝1:1.2的比例取乙酸镉加入至三口烧瓶中，注入200～250mL去离子水，按标量:三巯基丙酸摩尔量＝1:2.4的比例取三巯基丙酸加入其中，按标量:SCN^-摩尔量＝1:2.5～7.5的比例取硫氰酸铵加入其中，调节pH至9～10，转氮气氛围，向其中加入所述NaHTe，100℃下回流50～60分钟；向其中加入10～20mL异丙醇，而后固液分离取固相，乙醇洗涤，干燥，即得到所述CdTe纳米晶。

2.根据权利要求1所述的一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法，其特征在于，将所述按标量:SCN^-摩尔量＝1:2.5～7.5的比例取硫氰酸铵加入其中，替代为：按标量:BF₄摩尔量＝1:2.5～7.5的比例取四氟硼酸铵加入其中。

3.根据权利要求1所述的一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法，其特征在于，将所述按标量:SCN^-摩尔量＝1:2.5～7.5的比例取硫氰酸铵加入其中，替代为：按标量:PF₆摩尔量＝1:2.5～7.5的比例取六氟磷酸铵加入其中。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤1)中，所述混合的场所为支口瓶；所述氮气氛围是通过以下方法构建的：向支口瓶中充8～10min氮气，将支口瓶中的空气排除干净。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤1)中，所述注入1.2～1.5mL去离子水，是利用注射器实现的。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述调节pH，是利用NaOH或KOH实现的。

7.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述转氮气氛围，包括以下步骤：向三口烧瓶中充氮气30～40分钟。

8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述固液分离取固相，是以8000r/min离心5min取沉淀。

9.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述乙醇洗涤，是用乙醇冲洗后离心，并重复三次。

10.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述干燥的方法为真空干燥。