[发明专利]一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法

说明书

本发明公开了一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，包括以下步骤，S1、取玻璃陶瓷粉和有机黏合剂、三氧化二铬、ZnO‑B₂O₃‑SiO₂和BaCu(B₂O₅)混合后加热，浇注在移动的载带；S2、在生瓷带基材表面开设多个盲孔，并向盲孔内填充导体材料；S3、在S2加工后的基材表面，根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；S4、将经过S3步骤加工后的多块基材层叠后，通过匀压机构层压成型；S5、将S3层压成型的成品通过切割设备，切割为需要规格大小后，放入加热炉中，再加入二氧化钛，共烧排胶；S6、最后电镀金属层，而后组装上CMOS图像传感器该封装方法，该方法，通过对生瓷带生产中中添加新材料，降低了共烧加工的中的加热温度，并且增强了陶瓷的微波介电性能。

技术领域

本发明属于截流设备技术领域，具体涉及一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法。

背景技术

高温共烧陶瓷作为一种新型的高导热基板和封装材料，具有高热导率、低热膨胀系数、低介电常数和低介质损耗、高机械强度等特点。因此它可以实现电性能、热性能和机械性能的优化设计，能够满足器件、模块和组件的高功、高密度、小型化和高可靠要求。

在传统的高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，生瓷带生产过程中，需要的烧结温度达到了1200℃，对于材料的要求更高，增加了成本，所以需要在陶瓷烧结过程中增加烧结助剂，而传统的烧结助剂虽然能达到降低烧结温度的效果，但是会影响到生瓷带的介电性能，从而影响产品品质，所以需要正对性的改进设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法投入使用，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，包括以下步骤，

S1、取玻璃陶瓷粉和有机黏合剂混合加入三氧化二铬，加热后，浇注在移动的载带，流延成型制得生瓷带；

S2、在生瓷带基材表面开设多个盲孔，并向盲孔内填充导体材料；

S3、在S2加工后的基材表面，根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；

S4、将经过S3步骤加工后的多块基材层叠后，通过匀压机构层压成型；

S5、将S3层压成型的成品通过切割设备，切割为需要规格大小后，放入加热炉中，加入ZnO-B₂O₃-SiO₂和BaCu(B₂O₅),在加入二氧化钛，共烧排胶；

S6、最后电镀金属层，而后组装上CMOS图像传感器。

优选的，S4中的层压包括以下步骤，

A、通过锡纸对多块层叠的基材进行真空包裹；

B、将包装后的基材放置到水箱中并对侧面进行压紧，向水箱内注入140-200摄氏度的热水；

C、通过活塞封盖堵塞水箱的上端开口，然后通过液压缸的输出端推动活塞封盖向下做三次运动，每次停止十分钟，并且每次行进五厘米。

优选的，S2步骤中盲孔开设的方式是激光冲孔。

优选的，S5步骤中的烧结温度以每小时上升20-50摄氏度，当温度超过700℃后保持二十分钟后，以每分钟10-15度的速度进行降温。

本发明的技术效果和优点：该基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，

1、通过对生瓷带生产中中添加新材料，降低了共烧加工的中的加热温度，并增强了陶瓷的微波介电性能。