[发明专利]一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法

权利要求书

1.一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于：包括以下步骤，

S1、取玻璃陶瓷粉和有机黏合剂、三氧化二铬、ZnO-B₂O₃-SiO₂和BaCu(B₂O₅)混合后加热，浇注在移动的载带，流延成型制得生瓷带；

S2、在生瓷带基材表面开设多个盲孔，并向盲孔内填充导体材料；

S3、在S2加工后的基材表面，根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；

S4、将经过S3步骤加工后的多块基材层叠后，通过匀压机构层压成型；

S5、将S3层压成型的成品通过切割设备，切割为需要规格大小后，放入加热炉中，再加入二氧化钛，共烧排胶；

S6、最后电镀金属层，而后组装上CMOS图像传感器。

2.根据权利要求1所述的一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于：S4中的层压包括以下步骤，

A、通过锡纸对多块层叠的基材进行真空包裹；

B、将包装后的基材放置到水箱中并对侧面进行压紧，向水箱内注入140-200摄氏度的热水；

C、通过活塞封盖堵塞水箱的上端开口，然后通过液压缸的输出端推动活塞封盖向下做三次运动，每次停止十分钟，并且每次行进五厘米。

3.根据权利要求1所述的一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于：S2步骤中盲孔开设的方式是激光冲孔。

4.根据权利要求3所述的一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于：S5步骤中的烧结温度以每小时上升20-50摄氏度，当温度超过700℃后保持二十分钟后，以每分钟10-15度的速度进行降温。