[发明专利]存储器单元及应用其的存储器阵列与操作方法

权利要求书

1.一种存储器单元，其中，包括：

一晶体管，包括：

一控制端，耦接至一第一节点；

一第一端，耦接至一第一信号线；以及

一第二端，耦接至一第二信号线；

一第一电阻元件，包括：

一第一端，耦接至该第一节点；以及

一第二端，耦接至一第二节点；以及

一第二电阻元件，包括：

一第一端，耦接至该第一节点；以及

一第二端，耦接至一第三节点。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，

该第一电阻元件的该第一端为一第一正端，该第一电阻元件的该第二端为一第一负端；以及，

该第二电阻元件的该第一端为一第二正端，该第二电阻元件的该第二端为一第二负端。

3.一种存储器阵列，其中，包括：

多个存储器单元；

多条第一信号线；

多条第二信号线；

多条第三信号线；以及

多条第四信号线，

其中，这些存储器单元耦接至这些第一信号线、这些第二信号线、这些第三信号线与这些第四信号线；

各这些存储器单元包括：

一晶体管，包括：一控制端，耦接至一第一节点；一第一端，耦接至这些第一信号线之一；以及一第二端，耦接至这些第二信号线之一；

一第一电阻元件，包括：一第一端，耦接至该第一节点；以及一第二端，耦接至一第二节点；以及

一第二电阻元件，包括：一第一端，耦接至该第一节点；以及一第二端，耦接至一第三节点。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中，

于进行编程操作与读取操作时，耦接到这些存储器单元的至少一被选存储器单元的这些第一信号线的至少一被选第一信号线、这些第二信号线的至少一被选第二信号线、这些第三信号线的至少一被选第三信号线与这些第四信号线的至少一被选第四信号线被施加多个偏压；以及，耦接到这些存储器单元的至少一未选存储器单元的这些第一信号线的至少一未选第一信号线、这些第二信号线的至少一未选第二信号线、这些第三信号线的至少一未选第三信号线与这些第四信号线的至少一未选第四信号线被浮接。

5.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中，至少一第一信号线由这些存储器单元的一第一存储器单元群组所共享，或者，至少一第二信号线由这些存储器单元的一第二存储器单元群组所共享。

6.一种根据权利要求1所述的存储器单元的操作方法，其中，包括：

于进行一编程操作时，一编程电流于该第二节点与该第三节点之间流动，使得该第一电阻元件与该第二电阻元件之一被编程为一第一阻抗状态，而该第一电阻元件与该第二电阻元件之另一被编程为一第二阻抗状态；以及

于进行一读取操作时，对该第一电阻元件与该第二电阻元件施加一跨压，以在该第一电阻元件与该第二电阻元件上形成一读取电流，其中，该第一节点的一第一节点电压由该第一电阻元件与该第二电阻元件的一电阻比例所决定。

7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，将该存储器单元编程为逻辑0时，对该第二节点施加一第一编程电压，对该第三节点施加一第二编程电压，该第一编程电压高于该第二编程电压，该第一电阻元件被编程为该第一阻抗状态，该第二电阻元件被编程为该第二阻抗状态，该晶体管的该第一端与该第二端为浮接。

8.根据权利要求6所述的操作方法，其中，将该存储器单元编程为逻辑1时，对该第二节点施加一第三编程电压，对该第三节点施加一第四编程电压，该第四编程电压高于该第三编程电压，该第二电阻元件被编程为该第一阻抗状态而该第一电阻元件被编程为该第二阻抗状态，该晶体管的该第一端与该第二端为浮接。

9.根据权利要求6所述的操作方法，其中，

于读取该存储器单元时，对该第二节点施加一第一读取电压，而对该第三节点施加一第二读取电压，

该第一读取电压与该第二读取电压皆小于一阈值电压；或者，该第一读取电压大于该阈值电压而该第二读取电压小于该阈值电压；或者，该第一读取电压与该第二读取电压皆大于该阈值电压。