[发明专利]一种抗单粒子翻转的锁存器结构有效
申请号: | 202010767114.4 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN111969998B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 王海滨;张珂昕;曾志恒 | 申请(专利权)人: | 河海大学常州校区 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 丁涛 |
地址: | 213022 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 粒子 翻转 锁存器 结构 | ||
1.一种抗单粒子翻转的锁存器结构,其特征在于:结构包含第一支路、第二支路、第三支路、第四支路、第五支路、第六支路、第七支路、第八支路,还包括节点A1、节点B1、节点C1、节点D1、节点A2、节点B2、节点C2、节点D2共八个存储节点,所述节点A1设置于所述第一支路上,所述节点B1设置于所述第二支路上,所述节点C1设置于所述第三支路上,所述节点D1设置于所述第四支路上,所述节点A2设置于所述第五支路上,所述节点B2设置于所述第六支路上,所述节点C2设置于所述第七支路上,所述节点D2设置于所述第八支路上,所述第一支路通过所述节点A1与所述第二支路、第四支路、第六支路、第八支路相连接,所述第二支路通过所述节点B1与所述第一支路、第三支路、第五支路、第七支路相连接,所述第三支路通过所述节点C1与所述第二支路、第四支路、第六支路、第八支路相连接,所述第四支路通过所述节点D1与所述第一支路、第三支路、第五支路、第七支路相连接,所述第五支路通过所述节点A2与所述第二支路、第四支路、第六支路、第八支路相连接,所述第六支路通过所述节点B2与所述第一支路、第三支路、第五支路、第七支路相连接,所述第七支路通过所述节点C2与所述第二支路、第四支路、第六支路、第八支路相连接,所述第八支路通过所述节点D2与所述第一支路、第三支路、第五支路、第七支路相连接;
所述第一支路包括PMOS管P1L、PMOS管P2L、NMOS管N1L、NMOS管N2L,所述P1L的漏极连接P2L的源极,所述P2L的漏极依次连接所述节点A1、所述N1L的漏极,所述N1L的源极连接N2L的漏极,所述N2L的源极接地,所述P1L的栅极与所述节点D2相连接,所述P2L的栅极与所述节点D1相连接,所述N1L的栅极与所述节点B2相连接,所述N2L的栅极与所述节点B1相连接;
所述第二支路包括PMOS管P3L、PMOS管P4L、NMOS管N3L、NMOS管N4L,所述P3L的漏极连接P4L的源极,所述P4L的漏极依次连接所述节点B1、所述N3L的漏极,所述N3L的源极连接N4L的漏极,所述N4L的源极接地,所述P3L的栅极与所述节点A2相连接,所述P4L的栅极与所述节点A1相连接,所述N3L的栅极与所述节点C2相连接,所述N4L的栅极与所述节点C1相连接;
所述第三支路包括PMOS管P5L、PMOS管P6L、NMOS管N5L、NMOS管N6L,所述P5L的漏极连接P6L的源极,所述P6L的漏极依次连接所述节点C1、所述N5L的漏极,所述N5L的源极连接N6L的漏极,所述N6L的源极接地,所述P5L的栅极与所述节点D2相连接,所述P6L的栅极与所述节点D1相连接,所述N5L的栅极与所述节点B2相连接,所述N6L的栅极与所述节点B1相连接;
所述第四支路包括PMOS管P7L、PMOS管P8L、NMOS管N7L、NMOS管N8L,所述P7L的漏极连接P8L的源极,所述P8L的漏极依次连接所述节点D1、所述N7L的漏极,所述N7L的源极连接N8L的漏极,所述N8L的源极接地,所述P7L的栅极与所述节点A2相连接,所述P8L的栅极与所述节点A1相连接,所述N7L的栅极与所述节点C2相连接,所述N8L的栅极与所述节点C1相连接;
所述第五支路包括PMOS管P1R、PMOS管P2R、NMOS管N1R、NMOS管N2R,所述P1R的漏极连接P2R的源极,所述P2R的漏极依次连接所述节点A2、所述N1R的漏极,所述N1R的源极连接N2R的漏极,所述N2R的源极接地,所述P1R的栅极与所述节点D1相连接,所述P2R的栅极与所述节点D2相连接,所述N1R的栅极与所述节点B1相连接,所述N2R的栅极与所述节点B2相连接;
所述第六支路包括PMOS管P3R、PMOS管P4R、NMOS管N3R、NMOS管N4R,所述P3R的漏极连接P4R的源极,所述P4R的漏极依次连接所述节点B2、所述N3R的漏极,所述N3R的源极连接N4R的漏极,所述N4R的源极接地,所述P3R的栅极与所述节点A1相连接,所述P4R的栅极与所述节点A2相连接,所述N3R的栅极与所述节点C1相连接,所述N4R的栅极与所述节点C2相连接;
所述第七支路包括PMOS管P5R、PMOS管P6R、NMOS管N5R、NMOS管N6R,所述P5R的漏极连接P6R的源极,所述P6R的漏极依次连接所述节点C2、所述N5R的漏极,所述N5R的源极连接N6R的漏极,所述N6R的源极接地,所述P5R的栅极与所述节点D1相连接,所述P6R的栅极与所述节点D2相连接,所述N5R的栅极与所述节点B1相连接,所述N6R的栅极与所述节点B2相连接;
所述第八支路包括PMOS管P7R、PMOS管P8R、NMOS管N7R、NMOS管N8R,所述P7R的漏极连接P8R的源极,所述P8R的漏极依次连接所述节点D2、所述N7R的漏极,所述N7R的源极连接N8R的漏极,所述N8R的源极接地,所述P7R的栅极与所述节点A1相连接,所述P8R的栅极与所述节点A2相连接,所述N7R的栅极与所述节点C1相连接,所述N8R的栅极与所述节点C2相连接。
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