[发明专利]DDR测试方法和装置

说明书

本申请提供了一种DDR测试方法和装置，运用于半导体集成电路测试技术领域，通过不同的测试数据和写反数据，实现对单元内不同数据位之间相互影响的检测，覆盖到了大多数常见的内存故障。同时，在增大间隔进行下一次读操作时，数据已经在存储单元中保持了一段时间，下一次的读操作还可以对部分的漏电故障进行检测，若芯片内部出现漏电故障，则高电压的cell会向低电压的cell漏电，经过一段时间的漏电之后高电压的cell则不能维持故会发生故障。综上，该方法是内存测试领域一个行之有效的测试方法，覆盖到大多数内存故障如地址解码故障、固定故障、转换故障、漏电故障、耦合故障、相邻矢量敏化故障等，方法可有效适用于正常量产程序。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路测试技术领域，特别涉及为一种DDR测试方法和装置。

背景技术

电子技术的发展日新月异，随着存储芯片设计能力的提升和制造工艺的进步，存储芯片的速率、容量也随之快速增长，为了确保存储芯片工作时的可靠性，对存储芯片的测试也越来越受到人们的重视，对测试方法的研究也越来越多，如何用最少的测试时间、最低的测试成本检测出更多的内存故障是测试人员重点关注的。

一个合格的半导体产品一般要进行两次测试。一次是晶圆片测试，即制造好的晶圆片需要进行严格的测试然后进行划片、封装等步骤，实际上只有通过测试的晶圆颗粒(Die)才会进行封装，而未通过测试的颗粒直接被淘汰。另一次为成品测试，即通过晶圆片测试和封装的芯片还不能算真正的产品，它仍然需要进一步进行测试，确认没有故障(此时故障主要是封装过程中引起的故障)才能成为真正的合格产品。本发明针对封装后的芯片的测试。

对于DRAM单元(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)的故障问题，需要把它映射成逻辑故障模型，并为检测出这类故障研究出moving_inversion测试算法，该算法具有很多优点，首先对于存储故障ADF、SAF、TF、CF等能够检出的同时，对其他不良也能够部分检出，并且又是一个相对简单的测试算法，本发明对该算法进行优化改进起到了事半功倍的效果。

moving_inversion算法的数据背景较为简单，因此很难检测到每一个存储单元内不同位之间的耦合故障，其次，它是由最低地址到最高地址或由最高地址到最低地址的连续性的写读操作，因此难以覆盖到一个单元的附近单元的耦合故障，因此需要对原有算法进行改进。

发明内容

本申请提供一种DDR测试方法和装置，对现有的moving_inversion算法进行改进，优化测试流程，有效提高DDR故障测试覆盖率和测试效率。

本申请为解决技术问题采用如下技术手段：

本申请提出的一种DDR测试方法，所述测试方法测试DDR内存芯片中的固定故障和耦合故障，所述测试方法包括：

S1，接入所述DDR内存芯片，以调取DDR内存芯片中的单元数位逻辑数据表，所述单元数位逻辑数据表由若干个bank分区构成，所述bank分区具有若干列和若干行确定的存储单元；

S2，根据所述单元数位逻辑数据表的若干个bank分区的排序，以及所述bank分区行列排序，向所述bank分区中的数位上写入测试数据DB；

S3，根据所述单元数位逻辑数据表的若干个bank分区的排序，以及所述bank分区行列排序，对所述bank分区中的数位上的测试数据DB进行读取操作，并判断读取的值是否为所输入的测试数据，若是，则无故障执行下一步测试，若否，则弃用所述DDR内存芯片；

S4，采用第一间距值的第一间距测试逻辑对所述DDR内存芯片进行再测试，并判断所述DDR内存芯片是否故障，若否，则无故障执行下一步测试，若是，则弃用所述DDR内存芯片；