[发明专利]SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法

权利要求书

1.一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，包括：

获取表面完整的第一SiC JBS二极管；

测量所述第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数；

测量所述第一SiC JBS二极管的初始噪声特性参数；

对所述第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间，得到第二SiC JBS二极管；

测量所述第二SiC JBS二极管的电学特性参数；

测量所述第二SiC JBS二极管的噪声特性参数；

根据所述第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数和所述第二SiC JBS二极管的电学特性参数得到电学特性参数漂移程度；

根据所述第一SiC JBS二极管的初始噪声特性参数和所述第二SiC JBS二极管的噪声特性参数得到噪声特性参数漂移程度。

2.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，获取表面完整的第一SiC JBS二极管，包括：

获取所述第一SiC JBS二极管；

检查所述第一SiC JBS二极管的外表面，得到表面完整的所述第一SiC JBS二极管。

3.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，测量所述第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数，包括：

测量得到所述第一SiC JBS二极管的正向压降、反向漏电流、反向击穿电压。

4.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，测量所述第一SiC JBS二极管的初始噪声特性参数，包括：

测量所述第一SiC JBS二极管的噪声；

根据所述第一SiC JBS二极管的噪声得到所述第一SiC JBS二极管的噪声幅值。

5.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，对所述第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间，得到第二SiCJBS二极管，包括：

在温度为85℃±2℃、湿度为85％RH±5、反向偏压为80％VRRM的条件下暴露168小时，得到第二SiC JBS二极管。

6.根据权利要求3所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，测量所述第二SiC JBS二极管的电学特性参数，包括：

测量得到所述第二SiC JBS二极管的正向压降、反向漏电流、反向击穿电压。

7.根据权利要求4所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，测量所述第二SiC JBS二极管的噪声特性参数，包括：

测量所述第二SiC JBS二极管的噪声；

根据所述第二SiC JBS二极管的噪声得到所述第二SiC JBS二极管的噪声幅值。

8.根据权利要求5所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，根据所述第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数和所述第二SiC JBS二极管的电学特性参数得到电学特性参数漂移程度，包括：

根据所述第一SiC JBS二极管的正向压降和所述第二SiC JBS二极管的正向压降得到所述正向压降的漂移程度；或/和，

根据所述第一SiC JBS二极管的反向漏电流和所述第二SiC JBS二极管的反向漏电流得到所述反向漏电流的漂移程度；或/和，

根据所述第一SiC JBS二极管的反向击穿电压和所述第二SiC JBS二极管的反向击穿电压得到所述反向击穿电压的漂移程度。

9.根据权利要求6所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，根据所述第一SiC JBS二极管的初始噪声特性参数和所述第二SiC JBS二极管的噪声特性参数得到噪声特性参数漂移程度，包括：

根据所述第一SiC JBS二极管的噪声幅值和所述第二SiC JBS二极管的噪声幅值得到所述噪声幅值的漂移程度。