[发明专利]一种高边电流采样电路

说明书

本发明涉及电流采样技术领域，具体涉及一种高边电流采样电路。该高边电流采样电路包括功率管PM0、电流采样电路单元、功率管组件和运算放大电路单元，其中，所述功率管组件串联于电流采样电路单元与运算放大电路单元之间；所述电流采样电路单元与功率管PM0并联，获取功率管PM0源极与漏极之间的导通电流，所述导通电流经功率管组件输出至运算放大电路单元后，再输出采样电流。本发明通过采用与功率管同类型的功率管组件作为电阻器件串联在电流采样电路单元与运算放大电路单元之间，使得高边电流采样电路的温度特性与功率管保持高度一致，达到了极佳的温度补偿效果，能大幅提高采样电流的采样精度和采样系数的稳定性，简化了电路结构，功耗更低。

技术领域

本发明涉及电流采样技术领域，具体涉及一种高边电流采样电路。

背景技术

在高边开关等大电流功率芯片采样电路中，所采用的MOS管功率器件和电阻器件在温度变化时阻值变化率不同，使得高边电流采样的采样系数受温度影响产生的变化较大，采样电流不能准确的反应MOS管功率器件的实际电流情况。现有采用温度补偿的方式，其能有效的减小温度变化带来的影响，减小采样系数误差。

目前，大部分的温度补偿解决方案都是通过增加相反温度系数的电流产生电路，来抵消采样电流因为温度变化引起的电流误差，对电路的采样系数进行修正。此类方案增加了额外的温度补偿电路，整体电路更加复杂，面积大，功耗高，且对提高采样系数的稳定程度效果有限。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种高边电流采样电路，解决现有高边电流采样电路结构复杂、面积大、功耗高且提高采样系数的稳定程度有限的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种高边电流采样电路，包括功率管PM0、电流采样电路单元、功率管组件和运算放大电路单元，其中，

所述功率管组件串联于电流采样电路单元与运算放大电路单元之间；

所述电流采样电路单元与功率管PM0并联，获取功率管PM0源极与漏极之间的导通电流，所述导通电流经功率管组件输出至运算放大电路单元后，再输出采样电流。

本发明的更进一步优选方案是：所述功率管组件包括场效应管PM2和场效应管PM3，所述场效应管PM2作为电阻器件串联于电流采样电路单元与运算放大电路单元的一输入端之间，所述场效应管PM3作为电阻器件串联于电流采样电路单元与运算放大电路单元的另一输入端之间。

本发明的更进一步优选方案是：所述场效应管PM2和场效应管PM3的温度特性均与功率管PM0的温度特性一致或接近。

本发明的更进一步优选方案是：所述电流采样电路单元包括电阻R1和场效应管PM1，所述电阻R1与场效应管PM1串联后并联于功率管PM0的两端。

本发明的更进一步优选方案是：所述运算放大电路单元包括第一级运算放大模块和第二级运算放大模块，所述第一级运算放大模块的两输入端与功率管组件连接，输出端与第二级运算放大模块的输入端连接，所述第二级运算放大模块的输出端输出采样电流。

本发明的更进一步优选方案是：所述第一级运算放大模块包括场效应管PM4、场效应管PM5、场效应管PM6、场效应管PM7、场效应管NM0、场效应管NM1、场效应管NM2、场效应管NM3和场效应管NM4，所述场效应管PM4、场效应管PM6、场效应管NM3和场效应管NM1依次串联并串联于功率管组件的一输出端与地端之间形成一串联支路，所述场效应管PM5、场效应管PM7、场效应管NM4和场效应管NM2依次串联并串联于功率管组件的另一输出端与地端之间形成一串联支路，两所述串联支路并联，所述场效应管NM0与场效应管NM1并联连接。