[发明专利]一种调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法

权利要求书

1.一种调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，包括D-A型共轭聚合物的制备过程；

D-A型共轭聚合物的分子结构式为：

制备过程中包含含有R的原料，通过选择含有R的原料中R的种类，调节D-A型共轭聚合物中R的空间位阻；

其中，R选自：

n、n1均为自然数，n2为奇数。

2.如权利要求1所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，D-A型共轭聚合物的制备过程包括含有给体单元的中间体与含有受体单元的中间体进行偶联反应获得；

含有给体单元的中间体选自

含有受体单元的中间体为

3.如权利要求2所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，采用所述偶联反应为Stille偶联反应。

4.如权利要求3所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，Stille偶联反应采用的催化剂为四(三苯基膦)钯。

5.如权利要求3所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，Stille偶联反应的反应温度为105～115℃。

6.如权利要求3所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，将偶联反应后的物料采用甲醇、己烷和三氯甲烷连续索氏提取纯化，将三氯甲烷组分收集，干燥获得D-A型共轭聚合物。

7.如权利要求3所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，含有给体单元的中间体的制备方法为，采用正丁基锂将H-D-H或Br-D-Br活化，加入三异丙基硼酸酯、三甲基氯化锡或者三丁基氯化锡进行合成获得；

H-D-H为

8.如权利要求3所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，含有受体单元的中间体的制备方法为，将X-A-X与2-三丁基锡-4-R基噻吩进行偶联反应，然后通过溴代反应获得；

X-A-X为X为溴或碘；2-三丁基锡-4-R基噻吩为

9.如权利要求3所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法，其特征是，含有给体单元的中间体与含有受体单元的中间体的摩尔比为1:0.9～1.1。

10.一种权利要求1～9任一所述的调控D-A型共轭聚合物短波近红外荧光的方法获得的调控D-A型共轭聚合物，其特征是，化学结构为：