[发明专利]一种贴片式SD NAND Flash IC存储器在审

专利信息
申请号: 202010698966.2 申请日: 2020-07-20
公开(公告)号: CN111882018A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 刘纯彬 申请(专利权)人: 深圳市益友创新科技有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;G06F3/06
代理公司: 深圳知帮办专利代理有限公司 44682 代理人: 刘瑞芳
地址: 518000 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 贴片式 sd nand flash ic 存储器
【说明书】:

发明涉及存储卡技术领域,公开了一种耐擦写次数较高的贴片式SD NAND Flash IC存储器,具备:接口电路与外部设备的接口电性连接;数据传输电路用于接收外部设备输入的数据,并对数据进行存储;信号处理电路用于对数据进行处理;数据传输电路包括相互连接的SD NAND Flash控制器及定制SD,SD NAND Flash控制器用于接收外部设备输入的数据,并将数据依序输入第一存储卡及第二存储卡,并对依序输入的数据进行存储;微控制器用于处理输入SD NAND Flash控制器的数据,采集SD NAND Flash控制器输出的数据,并对数据进行处理。

技术领域

本发明涉及存储卡技术领域,更具体地说,涉及一种贴片式SD NAND Flash IC存储器。

背景技术

传统T卡和SD卡是一个模组封装的独立成品,其采用插入式,通过卡片的金手指作为接触点进行供电和数据传输。目前,SD NAND Flash直接贴在 PCB板子上,所采用的是贴片IC形式的封装,其焊在PCB板上的稳定性比较高。然而,T卡和SD卡的固定方式为插入式,由于存储器的耐擦写次数低,导致存储器的使用寿命减短。

因此,如何提高存储器的耐擦写次数成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述由于存储器的耐擦写次数低,导致存储器的使用寿命减短的缺陷,提供一种耐擦写次数较高的贴片式SD NAND FlashIC存储器。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种贴片式SD NAND Flash IC存储器,具备:

一接口电路,其与外部设备的接口电性连接;

一数据传输电路,其用于接收所述外部设备输入的数据,并对所述数据进行存储;

一信号处理电路,其用于对所述数据进行处理;

所述接口电路包括单片机,所述单片机用于产生时钟脉冲信号;

所述数据传输电路包括相互连接的SD NAND Flash控制器及定制SD,其中,所述定制SD包括第一存储卡及第二存储卡;

所述SD NAND Flash控制器的信号输入端与所述外部设备的信号输出端连接,其用于接收所述外部设备输入的所述数据,并将所述数据依序输入所述第一存储卡及所述第二存储卡;

所述第一存储卡及所述第二存储卡对依序输入的所述数据进行存储;

所述信号处理电路包括微控制器,所述微控制器用于处理输入所述SD NANDFlash控制器的所述数据;

所述微控制器的信号输入端与所述SD NAND Flash控制器的信号输出端连接,其用于采集所述SD NAND Flash控制器输出的所述数据,并对所述数据进行处理。

在一些实施方式中,采用TF和SD定义的存储接口进行数据管理或直连 MCU的SD/SPI即可使用,已内置Flash管理程序。

在一些实施方式中,所述数据传输电路还包括第一电阻、第二电阻及第三电阻,

所述第一电阻的一端与电源端连接,所述第一电阻的另一端与所述SD NANDFlash控制器的双向数据端连接;

所述第二电阻的一端与电源端连接,所述第二电阻的另一端与所述SD NANDFlash控制器的响应信号端连接;

所述第三电阻设于所述定制SD的时钟信号端与所述SD NAND Flash控制器的时钟信号端之间。

在一些实施方式中,所述数据传输电路还包括第一电容、第二电容及第三电容,

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