[发明专利]二进制加权电流产生电路及数模转换器有效
申请号: | 202010695794.3 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN111565049B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 弗朗哥·马洛贝蒂;阿尔珀·阿克迪克门;戴彬;史林森 | 申请(专利权)人: | 微龛(广州)半导体有限公司 |
主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 施婷婷 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二进制 加权 电流 产生 电路 数模转换器 | ||
1.一种二进制加权电流产生电路,其特征在于,所述二进制加权电流产生电路至少包括:
驱动电压产生模块,基于一预设电流产生驱动电压;
电流划分模块,连接于所述驱动电压产生模块的输出端,通过串联电阻将所述驱动电压分压后驱动各电流输出晶体管利用晶体管的电压-电流指数关系将所述预设电流依次除以2,并输出若干个二进制加权电流;
电流设定模块,连接所述电流划分模块,用于设定流过串联电阻的电流值。
2.根据权利要求1所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述驱动电压产生模块包括电流源及第一晶体管,所述第一晶体管连接为二极管形式,所述第一晶体管与所述电流源串联于电源电压与参考地之间。
3.根据权利要求2所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述第一晶体管为NMOS、PMOS、NPN或PNP。
4.根据权利要求1所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:各二进制加权电流为微安培级或纳安培级。
5.根据权利要求1所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述电流划分模块包括k个分压电阻及k+1个电流输出晶体管;各分压电阻依次串联于所述驱动电压产生模块的输出端;各电流输出晶体管的控制端分别连接各分压电阻的一端,第一端连接预设电平,第二端输出对应的二进制加权电流,连接于所述电流划分模块输入端的电流输出晶体管的输出电流等于所述预设电流;其中,各分压电阻的阻值相等,各电流输出晶体管的尺寸相同,k为自然数。
6.根据权利要求5所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:各电流输出晶体管为NMOS或NPN,所述预设电平为参考地;或者各电流输出晶体管为PMOS或PNP,所述预设电平为电源电压。
7.根据权利要求5所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述电流设定模块包括第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻、运算放大器及第四晶体管;
所述第二晶体管与所述第一电阻串联于电源电压与参考地之间,所述第三晶体管与所述第二电阻串联于电源电压与参考地之间,所述第二晶体管及所述第三晶体管的控制端分别连接一电流输出晶体管的控制端,且所述第三晶体管与所述第二晶体管的数量比值为对应电流输出晶体管输出的二进制加权电流的比值的倒数;
所述运算放大器的输入端分别连接所述第二晶体管与所述第一电阻的连接节点及所述第三晶体管与所述第二电阻的连接节点;
所述第四晶体管的一端连接所述电流划分模块中电阻串的电流输出端,另一端接地,控制端连接所述运算放大器的输出端。
8.根据权利要求7所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述第二晶体管及所述第三晶体管的类型与各电流输出晶体管的类型相同,所述第四晶体管为NMOS或NPN。
9.根据权利要求1~8任意一项所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述驱动电压产生模块的输出端与所述电流划分模块的输入端之间还设置有缓冲器。
10.根据权利要求1~8任意一项所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:所述二进制加权电流产生电路还包括若干个电流划分模块及与各电流划分模块一一对应的电流设定模块,各电流划分模块依次级联。
11.根据权利要求10所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:第一级电流划分模块以后的各电流划分模块中分压电阻与电流输出晶体管的数量相同,连接于第一级电流划分模块以后的各电流划分模块输入端的电流输出晶体管去除。
12.根据权利要求10所述的二进制加权电流产生电路,其特征在于:各电流划分模块之间还设置有缓冲器。
13.一种数模转换器,其特征在于,所述数模转换器至少包括:
如权利要求1~12任意一项所述的二进制加权电流产生电路,用于得到二进制加权电流;
数模转换电路,连接所述二进制加权电流产生电路,基于数字信号及所述二进制加权电流得到对应的模拟信号。
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