[发明专利]存储装置及操作该存储装置的方法

说明书

提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2019年7月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0090110的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及存储装置及操作该存储装置的方法。

背景技术

电阻式存储装置的示例包括相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)和磁性随机存取存储装置(MRAM)。与通过充电或放电来写入数据的存储装置不同，电阻式存储装置可以通过改变其存储单元的电阻来写入或擦除数据。

发明内容

本发明构思的至少一个实施例提供一种具有提高的感测裕度和提高的读取周期数的存储装置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储装置包括多个存储单元、译码器电路、控制逻辑以及读出放大器，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关器件和连接到所述开关器件并具有相变材料的存储器件，所述多个存储单元连接到多条字线和多条位线，所述译码器电路包括：第一偏置电路，所述第一偏置电路被配置为在所述多个存储单元的选定存储单元的读取操作期间将第一偏置电压输入到所述多条字线中的与所述选定存储单元连接的选定字线；第二偏置电路，所述第二偏置电路被配置为在所述读取操作期间将第二偏置电压输入到所述多条位线中的与所述选定存储单元连接的选定位线；第一选择开关器件和第一非选择开关器件，所述第一选择开关器件和所述第一非选择开关器件连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间；以及第二选择开关器件和第二非选择开关器件，所述第二选择开关器件和所述第二非选择开关器件连接在所述多条字线中的相邻于所述选定字线的相邻字线与所述第一偏置电路之间，所述控制逻辑被配置为在所述第二偏置电压被输入到所述选定位线的同时顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件，所述读出放大器被配置为将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定所述读取操作的读取数据。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括分别设置在多条字线和多条位线的交叉点处的多个存储单元；第一译码器电路，所述第一译码器电路被配置为确定所述多条字线中的与所述多个存储单元中的选定存储单元连接的选定字线，所述第一译码器电路包括第一偏置电路，所述第一偏置电路被配置为在第一时间段期间将第一偏置电压输入到所述选定字线；第二译码器电路，所述第二译码器电路被配置为确定所述多条位线中的与所述选定存储单元连接的选定位线，所述第二译码器电路包括第二偏置电路，所述第二偏置电路被配置为在所述第一时间段之后的第二时间段期间将第二偏置电压输入到所述选定位线；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为在所述第二时间段期间使得所述选定字线以及所述多条字线中的相邻于所述选定字线的相邻字线浮置。在所述第二时间段期间，所述选定字线被浮置的时间点和所述相邻字线被浮置的时间点彼此不同。