[发明专利]转移装置及转移方法

说明书

本发明公开了一种转移装置及转移方法，所述转移装置包括一基板和设置于所述基板上的至少一转移头，所述转移头包括：吸附器件和磁场发生器件，其中，磁场发生器件用于生成磁场以吸附磁性粒子在所述吸附区内形成接触层，所述吸附器件将Micro LED吸附于所述接触层的表面上；本发明所述转移装置及转移方法能使Micro LED均能够被磁性粒子充分的接触，进而能克服传统的静电转移头中存在的转移头与被吸取目标间的距离严重影响吸附力的大小的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种转移装置及转移方法。

背景技术

在微发光二极管显示器制作工艺中，将Micro LED由中间承载板转移到TFT基板上进行Micro LED与TFT基板间的bonding是非常关键的一步。另外，对于TFT基板上Bonding后出现点亮异常的Micro LED，需要定点的把异常Micro LED去除。

因此，需要高效的Micro LED转移工具可靠、精确、快速、廉价的完成转移。然而，目前存在的Micro LED转移头由于各自的缺陷，没办法比较可靠、定点、快速、廉价的对MicroLED进行转移。

例如，在传统的静电转移头中，静电转移头与被吸取目标间的距离严重影响其吸附力的大小。图1为现有静电转移头的结构示意图，如图1所示，在利用图1中的静电转移头200吸取Micro LED200时，静电转移头200对所述MicroLED200的静电力与两者之间距离的平方成反比。

因此，亟需提供一种可靠度和精度较高，且成本低廉的转移装置及转移方法，以解决上述问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种转移装置及转移方法，本发明所述转移装置的转移头通过电场单元、磁场发生器件和磁性粒子的配合，使MicroLED均能够被磁性粒子充分的接触，进而能克服传统的静电转移头中存在的吸头与被吸取目标间的距离严重影响吸附力的大小的问题。

为了实现上述目的，本发明所述转移装置及转移方法采取了以下技术方案。

本发明提供一种转移装置，包括一基板和设置于所述基板上的至少一转移头，所述转移头包括：一吸附器件和一磁场发生器件，其中：所述吸附器件设置于所述基板的一表面上并且在背离所述基板的表面上包括一吸附区，所述吸附器件至少用于：将预设距离范围内的Micro LED吸附于所述吸附区，或者，释放所述Micro LED；所述磁场发生器件设置于所述吸附器件和所述基板之间并被配置为通过产生磁场以至少用于：将预设距离范围内的磁性粒子吸附于所述吸附区上以形成一具有预设结构的接触层，使得所述接触层与吸附于所述吸附区的所述Micro LED接触，或者，从所述接触层释放所述磁性粒子。

进一步，所述磁场发生器件包括至少一电磁线路层，所述电磁线路层包括一第一介电层和包覆于所述第一介电层的至少一电磁线圈；所述电磁线圈被配置为接收独立的电磁信号并根据所述电磁信号产生磁场；一第一介电层，所述第一介电层设置于包覆或半包覆所述电磁线圈。

进一步，相邻两个转移的磁场发生器件内的各所述电磁线路层分别同层并分别通过所述第一介电层连续，以构成一磁场发生器件层。

进一步，所述第一介电层为SiN_x、SiO_x或SiON_x中的至少一种。

进一步，所述转移装置包括阵列排布于所述基板上的复数个所述转移头；所述转移装置还包括复数个阻隔坝，所述阻隔坝设置于相邻的所述转移头之间并至少用于定义所述转移头的吸附区。

在一优选实施例中，相邻两个转移的磁场发生器件内的各所述电磁线路层分别同层并分别通过所述第一介电层连续，以构成一磁场发生器件层；所述阻隔坝设置于所述磁场发生器件层背离所述基板的表面上并位于相邻的所述吸附器件之间，所述阻隔坝至少用于将相邻所述吸附单元的吸附区隔开。