[发明专利]一种应用于超低静态电流LDO的动态偏置电路

权利要求书

1.一种应用于超低静态电流LDO的动态偏置电路，其特征在于，所述动态偏置电路包括运算放大器AMP、功率管MP、MOS管MP1、MP2、MP3、MPX、MN1、MN2、MN3、电阻Rf1、Rf2，所述运算放大器AMP的反相输入端与基准电压Vref相连，所述运算放大器AMP输出电压Vgate并与所述功率管MP的栅极相连，所述功率管MP的源极与工作电压Vdd相连，所述功率管MP的漏极连接电阻Rf1的一端，电阻Rf1的另一端与运算放大器AMP的同相输入端及电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端接地，所述功率管MP的漏极还与外部负载Vout相连；

所述MOS管MP1为所述MOS管MP的镜像，所述MOS管MP1的栅极连接所述电压Vgate，所述MOS管MP1的源极连接工作电压，所述MOS管MP1的漏极与MOS管MN2的漏极相连，所述MOS管MN2的栅极分别与MOS管MN2的漏极、MOS管MN1的栅极、MOS管MN3的栅极相连，所述MOS管MN2的源极与MOS管MN3的源极、MOS管MN1的源极、MP3的漏极相连，所述MOS管MN1的源极接地，所述MOS管MN1的漏极与运算放大器AMP的偏置电流IBD及MOS管MP3的漏极相连，所述MOS管MP3的源极与MOS管MP2的源极及MOS管MPX的源极相连，所述MOS管MP3的栅极与MOS管MP2的栅极和漏极相连，所述MOS管MP3的漏极通过MP3的偏置电流Ib与MOS管MN1的源极相连，MOS管MP3的源极还连接至工作电压；

所述MOS管MPX的漏极分别与MOS管MP2的漏极和MOS管MN3的漏极相连，MPX的栅极连接偏置电压Vp；

所述MOS管MP1相对于MOS管MP的宽长比比例为1：N，MOS管MN2、MN1、MN3的宽长比比例为1：k：1；MOS管MP2和MP3的宽长比比例为1：k，N和k为≥1的正整数。