[发明专利]一种硅基底薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硅基底薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)清洗抛光硅基底，并在抛光面涂布光刻胶；

(2)在硅基底的预涂胶面开槽；

(3)将上述硅基底浸泡至酸溶液中进行平整化处理；

(4)将硅基底碎渣、毛边处理干净之后去除光刻胶、清洗、烘干；

(5)在烘干后的硅基底表面镀膜；

(6)沿着预开槽的中心线将硅基底切开，获得硅基底薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沿着硅基底的晶向和晶向的垂直方向进行开槽，形成多个四边形块；优选的，上述四边形块边长尺寸为4-30mm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述平整化处理的酸溶液包括氢氟酸、硝酸、醋酸，优选为三者的混合溶液。

4.根据权利要求1-3所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述平整化处理浸泡时间为3-30分钟，优选为5-15分钟，更优选为5分钟。

5.根据权利要求1-4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的清洗包括酸洗、碱洗、二次酸洗，每次清洗完成后均采用高纯水进行清洗。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述酸洗采用H₂SO₄:H₂O₂＝4:1的酸溶液，碱洗采用H₂O:H₂O₂:NH₄OH＝5:1:1的碱溶液，二次酸洗采用H₂O:H₂O₂:HF＝5:2:1的酸溶液。

7.根据权利要求1-6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的开槽方式为使用金刚石划片机，控制槽的深度为硅基底厚度的一半，宽度为0.5-1.5mm。

8.根据权利要求1-7所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的抛光硅基底尺寸优选为2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸。

9.根据权利要求1-8所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中光刻胶厚度大于1μm，旋涂速度为800-4000rpm，时间为10-60s。

10.根据权利要求1-9所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中用金刚石刀片沿着预开槽的中心线将硅基底切开，所述金刚石刀片的宽度为10-100μm，优选为50μm。