[发明专利]用于TN型显示面板的像素结构、阵列衬底和TN型显示面板

说明书

本发明提供了用于TN型显示面板的像素结构、阵列衬底和TN型显示面板。该像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括：衬底；像素电极，所述像素电极通过过孔与薄膜晶体管的漏极电连接；公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和所述衬底之间，且在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影，其中，所述像素电极和所述公共电极彼此正对应的部分构成存储电容。由于公共电极在衬底上的正投影覆盖过孔在衬底上的正投影，即过孔位于存储电容的区域内，如此可以增大像素的开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及用于TN型显示面板的像素结构、阵列衬底和TN型显示面板。

背景技术

对于常规产品高开口率TN像素设计，阵列衬底的像素电极过孔设计在非Com(公共电极)线上，一般会设置在离Data线(数据线)较近的像素电极的一角，这样设计占用了较大的空间，还牺牲了一定的开口率。

因此，关于TN型显示面板的像素结构的研究有待深入。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种用于TN型显示面板的像素结构，该像素结构具有较大的开口率，或较大的存储电容。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种用于TN型显示面板的像素结构。根据本发明的实施例，该像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括：衬底；像素电极，所述像素电极通过过孔与薄膜晶体管的漏极电连接；公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和所述衬底之间，且在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影，其中，所述像素电极和所述公共电极彼此正对应的部分构成存储电容。由于公共电极在衬底上的正投影覆盖过孔在衬底上的正投影，即过孔位于存储电容的区域内，如此可以增大像素的开口率。

根据本发明的实施例，所述公共电极包括：两条第一公共电极，两条所述第一公共电极沿第一方向间隔设置；第二公共电极，所述第二公共电极设置在两条所述第一公共电极之间，且位于所述第一公共电极靠近所述薄膜晶体管的栅极的一端，并与两条所述第一公共电极电连接，其中，所述第二公共电极在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影。

根据本发明的实施例，所述像素电极在所述衬底上的正投影与所述第一公共电极和所述第二公共电极在所述衬底上的正投影有第一重叠区域。

根据本发明的实施例，所述漏极具有相连的第一段和第二段，所述第一段设置在所述第二段远离所述薄膜晶体管的源极的一侧，且所述第一段的长度在所述第一方向上延伸，其中，所述第一段在所述衬底上的正投影与所述第二公共电极在所述衬底上的正投影有第二重叠区域。

根据本发明的实施例，所述公共电极与所述栅极同层设置。

根据本发明的实施例，该像素结构包括：所述衬底；所述公共电极，所述公共电极设置在所述衬底的表面上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述衬底的表面上，且覆盖所述公共电极；所述漏极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上；层间介质层，所述层间介质层设置在所述漏极的表面上，且覆盖未被所述漏极覆盖的所述栅绝缘层的表面，其中，所述过孔贯穿所述层间介质层，并暴露出所述漏极的表面；所述像素电极层设置在所述层间介质层远离所述衬底的表面上。

根据本发明的实施例，所述过孔进一步贯穿所述漏极并暴露所述栅绝缘层的表面，其中，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极的侧面电连接。

根据本发明的实施例，该像素结构还包括：有源层，所述有源层设置在所述栅绝缘层和所述漏极之间。

在本方发明的另一方面，本发明提供了一种阵列衬底。根据本发明的实施例，该阵列衬底包括前面所述的像素结构。由此，该阵列基板具有较大的像素开口率。本领域技术人员可以理解，该阵列基板具有前面所述的像素结构的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。