[发明专利]测量微光刻的掩模的装置和自聚焦方法

权利要求书

1.一种用于使用成像装置(2)测量微光刻的掩模(3)的装置(30)，其中所述成像装置(2)包括：

-成像光学单元(9)，具有焦平面(20)，用于成像所述掩模(3)，

-物平台(11)，用于安装所述掩模(3)，

-移动模块(18)，用于产生物平台(11)与成像光学单元(9)之间的相对移动，以及

-自聚焦装置(1)，用于通过与所述焦平面(20)相交的聚焦像平面(19)中的聚焦结构(13)的成像来生成聚焦像，

其特征在于，

该聚焦结构(13)实施为间隙(21，21′，21″)。

2.根据权利要求1所述的装置(30)，

其特征在于，

多个间隙(21，21′，21″)形成在所述聚焦结构(13)中。

3.根据权利要求2所述的装置(30)，

其特征在于，

所述间隙(21，21′，21″)以关于彼此旋转的方式布置。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的装置(30)，

其特征在于，

所述移动模块(18)被配置为移动所述物平台(11)与所述掩模(3)和/或所述成像光学单元(9)。

5.根据权利要求4所述的装置(30)，

其特征在于，

所述移动模块(18)被配置为在所述成像平面内将所述物平台(11)和所述掩模(3)关于所述间隙(21，21′，21″)的成像的取向倾斜地移动，特别是对角地移动。

6.一种用于使用具有成像光学单元(9)的成像装置(2)测量微光刻的掩模(3)的装置(30)的自聚焦方法，包括以下方法步骤：

a)在所述掩模(3)上的聚焦像平面(19)中成像聚焦结构(13)，所述聚焦结构实施为间隙(21，21′，21″)，所述聚焦像平面与所述成像光学单元(9)的焦平面(20)相交，

b)记录由步骤a)产生的所述聚焦结构(13)的聚焦焦散(25)，

c)基于所述聚焦焦散(25)的记录(26，26′)，确定所述成像装置(2)的焦平面(20)与所述掩模(3)的表面之间的距离，

d)将所述掩模(3)移动根据方法步骤c)确定的所述距离，

e)重复步骤a)至d)，直到所述距离小于预先确定的值。

7.根据权利要求6的方法，

其特征在于，

焦散中心(24)被确定为所述间隙(21，21′，21″)的聚焦焦散(25)中的最高强度的位置。

8.根据权利要求6或7所述的方法，

其特征在于，

焦散中心(24)被确定为所述间隙(21，21′，21″)的成像的聚焦焦散(25)中的最窄收缩的位置。

9.根据权利要求6至8中的任一项所述的方法，

其特征在于，

所述聚焦结构(13)包括多个间隙(21，21′，21″)，并且所述成像装置(2)的焦平面(20)与所述掩模(3)的表面之间的距离是通过评估所述间隙(21，21′，21″)的成像的焦散中心(24)来确定。

10.根据权利要求6至9中的任一项所述的方法，

其特征在于，

参考线(23)形成在所述聚焦焦散(25)的记录(26)中。

11.根据权利要求10的方法，

其特征在于，

所述参考线(23)的位置由替代性聚焦方法来确定。

12.根据权利要求7至11中的任一项所述的方法，

其特征在于，

所述掩模(3)的表面与所述焦平面(20)之间的距离是由所述焦散中心(24)与所述参考线(23)之间的距离来确定。