[发明专利]存储控制器的控制方法、存储控制器、芯片及电子设备

说明书

本说明书公开了一种存储控制器的控制方法、存储控制器、芯片及电子设备，其中，存储控制器与系统总线和外围总线连接，系统总线和外围总线均与处理器连接；该方法包括：在处理器通过系统总线读数据的情况下，进入读数据模式；在处理器通过外围总线写数据的情况下，进入写数据模式。通过本说明书的实施例，单个存储控制器可以根据处理器通过系统总线读数据的操作，或者是通过外围总线写数据的操作，在读数据模式和写数据模式之间进行自适应切换。这样，可以降低硬件成本。

技术领域

本说明书涉及计算机程序技术领域，更具体地，涉及一种存储控制器的控制方法、一种存储控制器、一种芯片及一种电子设备。

背景技术

Flash又称闪存，是存储芯片的一种，可以通过特定的程序可以修改里面的数据。Flash结合了ROM(Read Only Memory，只读存储器)和RAM(random access memory，随机存取存储器)的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还可以快速读取数据，使数据不会因为断电而丢失。

在现有技术中，通常是预先将SPI-Flash控制器定制为读数据模式或者是写数据模式。在将SPI-Flash控制器定制为读数据模式的情况下，SPI-Flash控制器将可以读取Flash内存储的数据。在将SPI-Flash控制器定制为写数据模式的情况下，SPI-Flash控制器将可以控制Flash执行写操作。但是，现有的SPI-Flash控制器无法在读数据模式和写数据模式之间自适应切换。

发明内容

本说明书的一个目的是提供一种控制存储控制器的读写模式的新技术方案。

根据本说明书的第一方面，提供了一种存储控制器的控制方法，所述存储控制器与系统总线或外围总线连接，所述系统总线和所述外围总线均与处理器连接；所述方法包括：

在所述处理器通过所述系统总线读数据的情况下，进入读数据模式；

在所述处理器通过所述外围总线写数据的情况下，进入写数据模式。

可选的，所述存储控制器还与目标存储器连接，

所述方法还包括：

在进入读数据模式的情况下，从所述目标存储器中读数据；

在进入写数据模式的情况下，控制所述目标存储器执行写数据操作。

可选的，所述从所述目标存储器中读数据包括：

确定所述处理器所访问的所述系统总线中的第一存储地址；

确定所述第一存储地址所映射的目标存储器内的存储地址，作为第二存储地址；

从所述第二存储地址中读数据；

获取所述目标存储器返回的结果数据。

可选的，所述第二存储地址的内容为指令，所述结果数据为所述目标存储器中用于存储所述指令的运行结果的第三存储地址。

可选的，所述目标存储器为或非型存储器。

可选的，还包括：

将所述系统总线的存储地址转换为所述目标存储器内的存储地址。

可选的，所述控制所述目标存储器执行写数据操作包括：

获取所述处理器通过所述外围总线写入的目标数据；

确定所述目标数据在所述目标存储器中的存储地址，作为第四存储地址；

控制所述目标存储器将所述目标数据写入所述第四存储地址中。