[发明专利]射频前端电路及收发设备有效
申请号: | 202010563565.6 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111654306B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 聂礼通;尹家文;张旻琦;栾国兵 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 前端 电路 收发 设备 | ||
1.一种射频前端电路,其特征在于,包括:封装体、发射模块和接收模块,所述封装体具有第一焊点、第二焊点和第三焊点,所述封装体包括具有第一品质因子的第一传输线和具有第二品质因子的第二传输线,其中,
所述第一焊点通过所述第一传输线与所述第二焊点连接,所述第二焊点还与所述发射模块链接;
所述第一焊点通过所述第二传输线与所述第三焊点连接,所述第三焊点还与所述接收模块连接;
所述接收模块包括:第五电容、具有第三品质因子的电感、低噪声放大器、电源,其中,
所述第五电容分别与所述第三焊点、所述电感和接地点连接;
所述低噪声放大器分别与所述电感、所述电源和接地点连接。
2.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于,低噪声放大器包括:第一级电路和第二级电路,其中,
所述第一级电路的第一端与所述电感连接、第二端与所述电源、第三端和第四端分别与所述第二级电路、第五端与接地点连接;
所述第二级电路的第一端与所述电源、第二端和第三端分别与所述第一级电路、第四端与接地点连接。
3.根据权利要求2所述的射频前端电路,其特征在于,所述第一级电路的第三端与所述第二级电路的第三端连接,所述第一级电路的第四端与所述第二级电路的第二端连接。
4.根据权利要求3所述的射频前端电路,其特征在于,所述第一级电路的第三端与所述第二级电路的第二端连接,所述第一级电路的第四端与所述第二级电路的第三端连接。
5.根据权利要求3或4所述的射频前端电路,其特征在于,所述第一级电路包括:第二电容、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管,其中,
所述第二电容的一端与所述电感连接,所述第二电容另一端分别与所述第七晶体管的栅极、第八晶体管的栅极、第九晶体管的栅极连接;
所述第一电容的一端与所述电感连接,所述第一电容的另一端分别与所述第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的栅极连接;
所述第七晶体管的源极与所述电源连接、漏极与所述第十晶体管的源极连接,所述第十晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极连接,所述第四晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极连接,所述第一晶体管的源极接地;
所述第八晶体管的源极与所述电源连接、漏极与所述第十一晶体管的源极连接,所述第十一晶体管的漏极与所述第五晶体管的漏极连接,所述第五晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接,所述第二晶体管的源极接地;
所述第九晶体管的源极与所述电源连接、漏极与所述第十二晶体管的源极连接,所述第十二晶体管的漏极与所述第六晶体管的漏极连接,所述第六晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极连接,所述第三晶体管的源极接地;
所述第十晶体管的漏极、所述第十一晶体管的漏极、所述第十二晶体管的漏极连接;
所述第七晶体管的漏极、所述第八晶体管的漏极和所述第九晶体管的漏极的第一连接结点为所述第一级电路的第三端;
所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的源极的第二连接结点为所述第一级电路的第四端。
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