[发明专利]一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻有效
| 申请号： | 202010562477.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111740010B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;陶仁婧;姜杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 磁性 复合 结构 各向异性 磁电 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、[NiFe/NiCo]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，其中，n≥2；所述[NiFe/NiCo]n的多层薄膜的总厚度为20～40nm。
2.根据权利要求1所述的基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述缓冲层薄膜为Ta或Cu。
3.根据权利要求1所述的基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述覆盖层薄膜为Ta、SiO2或Al2O3。
4.一种权利要求1所述基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、采用薄膜溅射工艺在基片上沉积缓冲层薄膜；
步骤2、采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积[NiFe/NiCo]n的多层薄膜、覆盖层薄膜，其中，n≥2；
步骤3、将步骤2处理后得到的复合结构进行退火处理，退火温度为200～400℃，退火时间为30～120min，退火完成后，即可得到所述各向异性磁电阻。
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