[发明专利]量子点、包括其的复合物以及包括其的显示装置

说明书

公开了一种量子点以及包括该量子点的复合物和显示装置。量子点包括包含铟和磷的半导体纳米晶体核以及设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳，半导体纳米晶体壳包含锌、硒和硫，其中，量子点不包括镉，其中，量子点在绿光波长区域中具有最大光致发光峰，其中，在量子点的紫外‑可见(UV‑Vis)吸收光谱中，450nm处的吸收值与第一吸收峰处的吸收值的比率A₄₅₀/A_first大于或等于大约0.7，并且由下面的等式定义的谷深(VD)大于或等于大约0.4：(Abs_first‑Abs_valley)/Abs_first＝VD其中，Abs_first和Abs_valley与说明书中定义的相同。

本申请要求于2019年6月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0072494号韩国专利申请的优先权和由此获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

公开了量子点(QD)、包括该量子点的组合物或复合物以及包括该量子点或包含该量子点的复合物的电子装置(例如，显示装置)。

背景技术

不同于体(bulk)材料，量子点(例如，纳米尺寸的半导体纳米晶体)具有可通过调整量子点的尺寸或组成进行控制的能带隙。量子点可以表现出电致发光性质和光致发光性质。可以通过胶体合成制备量子点，并且诸如分散剂的有机材料可以在晶体生长期间与半导体纳米晶体的表面配位(例如，结合)，以提供具有受控尺寸并且具有期望的发光性质的量子点。最后，从环境角度出发，期望开发一种具有改善的光致发光性质的无镉量子点。

发明内容

实施例提供了一种基本无镉的环境友好型量子点，其可以表现出改善的光致发光性质和增强的稳定性(例如，热稳定性)。

实施例提供了一种制造上述量子点的方法。

实施例提供了一种包括上述量子点的组合物。

实施例提供了一种包括上述量子点的量子点-聚合物复合物。

实施例提供了一种包括上述量子点的电子装置。

实施例提供了一种层状结构和一种包括该层状结构的电子装置，层状结构在至少一层中包括上述量子点-聚合物复合物。

在实施例中，量子点包括：半导体纳米晶体核，包括铟(In)和磷(P)；以及半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，

其中，量子点在绿光波长区域中具有最大光致发光峰，在量子点的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱中，比率A₄₅₀/A_first(即，450纳米(nm)处的吸收值相对于第一吸收峰的吸收值)大于或等于大约0.7，并且由下面的等式定义的谷深(VD)大于或等于大约0.4：

1-(Abs_valley/Abs_first)＝VD

其中，Abs_first是第一吸收峰的吸收值，Abs_valley是与第一吸收峰相邻的谷的最低点处的吸收值，并且

其中，量子点不包括镉。

半导体纳米晶体核还可以包括锌。

在量子点中，硫相对于硒的摩尔比(S/Se)可以小于或等于大约2.5:1。

在量子点中，硫相对于硒的摩尔比(S/Se)可以小于或等于大约1:1。

在量子点中，硫相对于硒的摩尔比(S/Se)可以小于或等于大约0.8:1。

在量子点中，锌相对于铟的摩尔比(Zn/In)可以大于或等于大约10:1。