[发明专利]切割带及切割芯片接合薄膜

说明书

本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明提供抑制浮起、并且拾取性优异的切割带等。本发明为切割带等，所述切割带具备：基材层、和层叠于该基材层的粘合剂层，前述粘合剂层含有具有聚合性不饱和键的紫外线固化型的聚合性聚合物，前述粘合剂层的紫外线固化的差示扫描量热测定中的每单位质量的发热量为19mJ/mg以上。

技术领域

本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。

背景技术

以往在半导体集成电路的制造中使用切割带、切割芯片接合薄膜。

前述切割带具备基材层和层叠于该基材层的粘合剂层。

所述切割带在半导体集成电路的制造中在将半导体晶圆配置于粘合剂层上并将半导体晶圆切断时用于进行固定以使经单片化的半导体芯片不飞散。

前述切割芯片接合薄膜具备：切割带、和层叠于该切割带的粘合剂层的芯片接合层(芯片接合薄膜)。

所述切割芯片接合薄膜在半导体集成电路的制造中用于由半导体晶圆得到贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片。

对于使用切割芯片接合薄膜来获得贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片的方法，将可分割为半导体芯片的状态(或经分割的状态)的半导体晶圆贴附于切割芯片接合薄膜的芯片接合层上的中央，对切割芯片接合薄膜的基材层在低温下(例如-20℃～5℃)进行扩展(也称为“冷扩展工序”。)，由此将半导体晶圆和芯片接合层(芯片接合薄膜)一起割断(使用经分割的状态的半导体晶圆的情况下仅将芯片接合层割断)，在切割带上得到带芯片接合薄膜的半导体芯片。

接着，在例如10℃以上的温度下进行扩展(也称为“热扩展工序”、“常温扩展工序”。)，由此扩大邻接的带芯片接合薄膜的半导体芯片彼此的间隔。

然后，通过使切割带的外周部分热收缩，保持扩大了带芯片接合薄膜的半导体芯片彼此的间隔的状态(也称为“热收缩工序”。)。

由此，变得容易进行带芯片接合薄膜的半导体芯片自切割带上的拾取(也称为“拾取工序”。)。

另外，在热收缩工序后、并且在从切割带上拾取带芯片接合薄膜的半导体芯片前，有时也用水等清洗液对切割带上的带芯片接合薄膜的半导体芯片进行清洗(也称为“清洗工序”。)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-185591号公报

专利文献2：日本特开2018-195746号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在拾取工序前，带芯片接合薄膜的半导体芯片的端部有时自切割带的粘合剂层浮起。

所述浮起在清洗工序等中可成为带芯片接合薄膜的半导体芯片自切割带的不期望的剥离的原因。

特别是在半导体晶圆表面预先形成的布线结构越进行多层化，布线结构内的树脂与半导体芯片主体的半导体材料的热膨胀率之差越成为主要原因从而容易发生前述浮起。

另外，特别是在常温扩展工序时容易发生前述浮起。

此处，为了抑制所述浮起的发生，考虑提高前述粘合剂层的粘合力。

但是，仅通过提高前述粘合剂层的粘合力，难以从切割带上拾取带芯片接合薄膜的半导体芯片。

因此，寻求能抑制浮起、并且拾取性优异的切割芯片接合薄膜。

另外，寻求在使用切割带由半导体晶圆得到半导体芯片时也能抑制浮起、并且拾取性优异的切割带。