[发明专利]用于检测和调整晶体管导通和截止期间的操作区域持续时间的自适应阈值控制系统在审
申请号: | 202010551894.9 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112117887A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | M·E·布滕霍夫;R·拉卡;S·纳咖拉杰 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/38;H02M1/44;H02P7/03 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 袁策 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 调整 晶体管 截止 期间 操作 区域 持续时间 自适应 阈值 控制系统 | ||
1.一种自适应阈值控制系统,包括:
缓冲器电路,其被配置为耦合到晶体管,使得所述缓冲器电路接收跨所述晶体管的控制端子和第一电流端子的第一电压以及跨所述晶体管的第二电流端子和所述第一电流端子的第二电压;
比较器电路,其耦合到所述缓冲器电路并且被配置为:
将所述第一电压与第一阈值进行比较,
响应于所述第一电压跨过所述第一阈值而生成第一触发信号,
将所述第二电压与第二阈值进行比较,以及
响应于所述第二电压跨过所述第二阈值而生成第二触发信号;
计时器电路,其被配置为确定所述第一触发信号和所述第二触发信号之间的时间长度;以及
自适应阈值控制电路,其耦合到所述比较器电路和所述计时器电路,其中所述自适应阈值控制电路被配置为:
响应于所述第一触发信号而生成第一控制信号,并且响应于所述第二触发信号而生成第二控制信号,
向所述比较器电路提供指示所述时间长度是大于还是小于用户编程值的第三控制信号,其中所述第三控制信号致使所述比较器电路调整所述第一阈值。
2.根据权利要求1所述的自适应阈值控制系统,其中所述第一控制信号和所述第二控制信号致使用于所述晶体管的驱动器电路调整驱动电流。
3.根据权利要求1所述的自适应阈值控制系统,其中对于晶体管导通,所述比较器电路还被配置为:
响应于所述第三控制信号指示所述时间长度大于所述用户编程值,增加所述第一阈值,以及
响应于所述第三控制信号指示所述时间长度小于所述用户编程值,减小所述第一阈值。
4.根据权利要求1所述的自适应阈值控制系统,其中对于晶体管导通,所述比较器电路被配置为响应于所述第一电压增加到所述第一阈值以上而生成所述第一触发信号。
5.根据权利要求4所述的自适应阈值控制系统,其中所述晶体管是半桥电路中的低侧晶体管,并且其中所述比较器电路被配置为响应于所述第二电压减小到所述第二阈值以下而生成所述第二触发信号。
6.根据权利要求4所述的自适应阈值控制系统,其中所述晶体管是半桥电路中的高侧晶体管,并且其中所述比较器电路被配置为响应于所述第二电压增加到所述第二阈值以上而生成所述第二触发信号。
7.根据权利要求1所述的自适应阈值控制系统,其中对于晶体管截止,所述比较器电路还被配置为:
响应于所述第三控制信号指示所述时间长度大于所述用户编程值,减小所述第一阈值;以及
响应于所述第三控制信号指示所述时间长度小于所述用户编程值,增加所述第一阈值。
8.根据权利要求1所述的自适应阈值控制系统,其中对于晶体管截止,所述比较器电路被配置为响应于所述第一电压减小到所述第一阈值以下而生成所述第一触发信号。
9.根据权利要求8所述的自适应阈值控制系统,其中所述晶体管是半桥电路中的低侧晶体管,并且其中所述比较器电路被配置为响应于所述第二电压增加到所述第二阈值以上而生成所述第二触发信号。
10.根据权利要求8所述的自适应阈值控制系统,其中所述晶体管是半桥电路中的高侧晶体管,并且其中所述比较器电路被配置为响应于所述第二电压减小到所述第二阈值以下而生成所述第二触发信号。
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